标签: SK海力士
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三星HBM4提前亮相SEDEX 2025,SK海力士同台竞技
快速阅读: 三星电子与SK海力士将于10月22日首尔半导体博览会上展示HBM4内存,比预期提前一周。HBM4采用1c纳米工艺,具备更高数据带宽和低功耗,预计2025年SK海力士占HBM市场59%份额。 IT之家10月21日消息,《The E […]
发布时间:2025-10-21 20:25 来源:szf -
SK 海力士加速引进 ASML EUV 光刻机,两年内数量翻倍
快速阅读: SK海力士计划未来两年新增20台ASML EUV光刻系统,使其EUV设备数量翻番,以扩大先进DRAM内存生产,应对AI发展对高性能存储的需求。 IT之家9月24日消息,韩媒etnews当地时间今日报道,SK海力士计划在未来两年内 […]
发布时间:2025-09-24 19:31 来源:szf -
SK海力士完成HBM4开发,全球首推量产
快速阅读: SK海力士成功开发AI高性能存储器HBM4,带宽翻倍,能效提升40%,全球首建量产体系,预计AI服务性能提升69%,有效解决数据瓶颈,降低数据中心能耗。 感谢IT之家网友阿迷提供的线索!9月12日,IT之家报道,SK海力士宣布成 […]
发布时间:2025-09-12 12:04 来源:szf -
SK海力士推出最新移动NAND芯片,显著提升AI性能
快速阅读: SK Hynix开始向智能手机客户分发最新高性能移动NAND产品ZUFS 4.1,显著提升读取性能和应用程序启动速度,优化Android系统和数据管理效率,6月完成客户资格认证。 SK Hynix开始向智能手机客户分发其最新高性 […]
发布时间:2025-09-11 18:52 来源:szf -
SK海力士供应高性能NAND,提升移动设备AI能力
快速阅读: SK海力士推出ZUFS 4.1,全球首款专为移动设备设计的高性能NAND存储器,显著提升数据传输速度和能效,增强AI功能和数据管理效率,读取性能退化减少四倍,应用启动时间缩短45%。 9月11日,首尔(韩国)——据《韩国每日经济 […]
发布时间:2025-09-11 15:26 来源:szf -
SK海力士供应新款NAND闪存,提升AI性能
快速阅读: 9月11日,SK海力士宣布量产全球首款移动端NAND闪存ZUFS 4.1,提高AI功能支持与数据管理效率,读取性能提升4倍,应用运行时间缩短45%。 感谢IT之家网友阿迷提供的线索!9月11日,SK海力士宣布,已向客户供应其全球 […]
发布时间:2025-09-11 11:13 来源:szf -
SK海力士与Naver云合作开发下一代AI内存解决方案
快速阅读: SK海力士与Naver云签署谅解备忘录,共同开发下一代人工智能内存解决方案,包括第二代高带宽内存和处理内存技术,旨在加快技术商业化进程,提升数据中心性能,降低运营成本。 首尔(韩国),9月10日(ANI):SK海力士公司与Nav […]
发布时间:2025-09-10 14:27 来源:szf -
按年审批,美国拟对三星、SK 海力士中国工厂采用新出口许可方式
快速阅读: 美国提议对三星、SK海力士在华芯片厂物资出口实行年度审批,取代无限期授权,旨在减少对全球电子行业的干扰,同时增加审批复杂性。 北京时间 9 月 8 日,据彭博社报道, 美国提议对三星电子、SK 海力士在华工厂的芯片制造物资出口实 […]
发布时间:2025-09-08 18:52 来源:szf -
美国限制三星、SK海力士在中国生产内存芯片
快速阅读: 三星或SK海力士需作出让步以获特朗普政府许可证,英伟达和AMD已同意对中国产品征15%税以获出口许可,总统正考虑是否允许英伟达向中国出售更强大芯片。 三星或SK海力士需要作出何种让步,以说服特朗普政府批准这些许可证,目前尚不清楚 […]
发布时间:2025-08-30 07:23 来源:szf -
可提升手机散热性能,SK 海力士开始供应业界首款采用新材料的高效散热移动 DRAM
快速阅读: SK海力士开发并供应首款高K值EMC材料高效散热移动DRAM,解决智能手机发热问题,获全球客户好评。新材料热导率提升3.5倍,降低热阻47%,延长电池续航。 8月25日,SK海力士宣布开发并开始向客户供应业界首款采用“高K值EM […]
发布时间:2025-08-28 10:09 来源:szf -
三星与SK海力士商讨向英伟达供应AI芯片
快速阅读: 韩美峰会上,三星电子和SK海力士与英伟达讨论芯片供应计划,显示两国半导体企业合作氛围浓厚。李在明表示,韩国公司将在美国建设制造设施,强化半导体供应链。 8月25日,在华盛顿特区举行的韩美峰会之后,“韩美商务圆桌会议”上,官员们讨 […]
发布时间:2025-08-27 08:01 来源:szf -
SK海力士量产321层QLC NAND闪存,引领存储技术新突破
快速阅读: SK海力士开发并量产321层2Tb QLC NAND闪存,容量和性能显著提升,写入功耗效率提高23%,计划应用于PC固态硬盘及数据中心,助力AI服务器发展。 IT之家 8 月 25 日消息,SK 海力士公司宣布其 321 层 2 […]
发布时间:2025-08-25 14:41 来源:szf