标签： 3nm HBM内存
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英伟达计划自研3nm HBM内存，预计2027下半年试产
快速阅读: 英伟达启动自研HBM内存基础裸片计划，采用3nm工艺，2027年下半年试产，旨在增强市场议价能力和技术优势，改变HBM市场竞争格局。 英伟达启动自家 HBM 内存基础裸片设计计划，未来 HBM 内存供应链将采用内存原厂 DRAM […]
发布时间：2025-08-20 01:29 来源：szf
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英伟达自研3nm HBM内存，计划2027年下半年试产
快速阅读: 英伟达启动自研HBM基础裸片计划，采用3纳米工艺，预计2027年下半年试产，旨在增强议价能力和功能集成，助力下一代AI GPU“Feynman”。 台媒《工商时报》本月16日报道，英伟达启动自家HBM内存基础裸片设计计划。英伟达 […]
发布时间：2025-08-19 22:11 来源：szf
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英伟达计划自研3nm HBM内存，预计2027年下半年试产
快速阅读: 英伟达启动自研HBM基础裸片计划，采用3纳米工艺，2027年下半年试产，旨在增强议价能力，引入高级功能，改变HBM市场竞争格局。 台媒《工商时报》本月16日报道，英伟达启动自家HBM内存基础裸片设计计划。英伟达未来HBM内存供应 […]
发布时间：2025-08-19 18:05 来源：szf
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英伟达自研3nm HBM内存，计划2027下半年试产
快速阅读: 英伟达启动自研HBM内存基础裸片计划，采用3nm工艺，2027年下半年试产，旨在增强议价能力和引入高级功能，改变HBM市场竞争格局。 英伟达启动自家 HBM 内存基础裸片设计计划。未来英伟达的 HBM 内存供应链将采用内存原厂 […]
发布时间：2025-08-19 17:13 来源：szf
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英伟达计划自研3nm HBM内存，2027年下半年试产
快速阅读: 8月16日，英伟达启动自研HBM内存Base Die设计计划，采用3nm工艺，预计2027年下半年试产，将与内存原厂DRAM Die结合，增强HBM内存议价能力和功能集成。 IT之家 8 月 19 日消息,台媒《工商时报》本月 […]
发布时间：2025-08-19 10:54 来源：szf
