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标签: 2027年试产

  • 英伟达自研3nm HBM内存,计划2027下半年试产

    快速阅读: 英伟达启动自研HBM内存基础裸片计划,采用3nm工艺,2027年下半年试产,旨在增强议价能力和引入高级功能,改变HBM市场竞争格局。 英伟达启动自家 HBM 内存基础裸片设计计划。未来英伟达的 HBM 内存供应链将采用内存原厂 […]

    发布时间:2025-08-19 17:13    来源:szf
    英伟达自研3nm HBM内存,计划2027下半年试产

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