标签: 闪存
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SK海力士量产321层QLC NAND闪存,引领存储技术新突破
快速阅读: SK海力士开发并量产321层2Tb QLC NAND闪存,容量和性能显著提升,写入功耗效率提高23%,计划应用于PC固态硬盘及数据中心,助力AI服务器发展。 IT之家 8 月 25 日消息,SK 海力士公司宣布其 321 层 2 […]
发布时间:2025-08-25 14:41 来源:szf -
SK海力士量产321层QLC NAND闪存,全球首发
快速阅读: SK海力士宣布量产321层2Tb QLC NAND闪存,性能和容量大幅提升,写入功耗效率提高23%,计划明年上半年推出,应用于PC固态硬盘、数据中心及智能手机。 IT之家 8 月 25 日消息,SK 海力士公司宣布其 321 层 […]
发布时间:2025-08-25 09:43 来源:szf -
铁威马 F4 SSD NAS 上市,四盘位全闪存售 1599 元
快速阅读: 据相关媒体报道,铁威马F4 SSD是一款支持4个M.2 NVMe SSD的全闪NAS,搭载英特尔N95处理器,售价1599元。配备5GbE网口、10Gbps USB接口及HDMI,运行TOS 6系统,支持AI识别、4K转码等功能 […]
发布时间:2025-07-29 15:09 来源:szf -
闪迪组建高带宽闪存顾问团 图灵奖得主加盟
快速阅读: 据相关媒体最新报道,闪迪成立技术顾问委员会,推动HBF高带宽闪存技术发展。该技术结合HBM与NAND优势,提升容量并降低成本。大卫·帕特森和拉贾·科杜里加入委员会。 据闪迪公司宣布,7月24日,美国加州,闪迪成立了一个技术顾问委 […]
发布时间:2025-07-25 15:12 来源:szf -
闪迪组建高带宽闪存顾问团,图灵奖得主及GPU专家加盟
快速阅读: 相关媒体消息,7月25日,闪迪宣布成立技术顾问委员会,推动HBF高带宽闪存技术发展。该技术结合HBM与NAND优势,提升存储容量并降低成本。委员会成员包括图灵奖得主David Patterson和GPU专家Raja Koduri […]
发布时间:2025-07-25 15:07 来源:szf -
美光推出首款太空认证256Gb耐辐射SLC闪存
快速阅读: 据相关媒体报道,7月22日,美光推出256Gb耐辐射SLC NAND闪存,为太空环境设计,通过多项严苛测试,确保可靠性。这是首款获得完整太空认证的NAND产品。 7月22日,美国爱达荷州博伊西,美光科技宣布推出256Gb耐辐射S […]
发布时间:2025-07-23 13:05 来源:szf -
美光推出业界最高256Gb耐辐射SLC NAND闪存
快速阅读: 据相关媒体最新报道,美光推出首款通过太空认证的256Gb SLC NAND闪存,经多项严苛测试,具备强抗辐射能力,适用于太空环境下的数据存储。 据美光公司报道,7月22日,美国爱达荷州博伊西,美光宣布推出耐辐射256Gb SLC […]
发布时间:2025-07-23 12:54 来源:szf -
SK海力士开发采用321层NAND的新型闪存芯片
快速阅读: 据《韩国先驱报》称,SK海力士开发出基于321层NAND的移动UFS 4.1闪存芯片,性能更强、更节能且更薄,满足AI设备需求,巩固其在NAND领域的领先地位。 SK海力士公司推出新款移动UFS 4.1闪存芯片 周四,SK海力士 […]
发布时间:2025-05-22 11:04 来源:szf -
比 SRAM 更快!来自中国的新型闪存技术比美国、日本或韩国的 NAND 竞争对手快数百万倍 – 但请更改其名称
快速阅读: 据《科技雷达专业版》称,中国科研团队研发出最快非易失性半导体存储设备“PoX”,单比特写入仅400皮秒,结合速度与持久存储能力,为AI等低延迟任务提供支持,未来将集成至智能手机和计算机中。 中国研究人员开发出超快非易失性闪存 ( […]
发布时间:2025-04-27 02:41 来源:szf -
基于石墨烯的新型闪存可在 400 皮秒内写入数据,打破所有速度记录
快速阅读: 《技术点》消息,复旦大学研究人员开发出名为”Pox”的新型闪存设备,其编程速度打破世界纪录,达400皮秒。利用石墨烯和狄拉克带结构,Pox解决了非易失性内存速度瓶颈问题,将在AI领域实现高效实时数据处理。 […]
发布时间:2025-04-20 04:41 来源:szf -
如何将 USB 闪存驱动器转换为 PC 的安全登录密钥
快速阅读: 《电脑世界》消息,多米尼克·贝利是来自澳大利亚的科技爱好者,专注于PC游戏设备评测。他追踪行业动态,为玩家提供专业硬件建议,尤其擅长分析键盘等装备。其生动详实的文章深受玩家喜爱,成为信赖的专家。 多米尼克·贝利来自澳大利亚,是一 […]
发布时间:2025-04-19 21:17 来源:szf -
开发出世界上最快的闪存:写入时间仅需 400 皮秒
快速阅读: 据《Tom 的硬件》最新报道,复旦大学研发的超快皮秒级非易失性存储设备“PoX”,切换速度达400皮秒,突破闪存速度极限。该设备采用二维狄拉克石墨烯材料,能耗低且速度快,可解决AI硬件内存瓶颈。团队正推进其实现商业化应用。 (图 […]
发布时间:2025-04-19 04:09 来源:szf