标签： 海力士
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SK 会长崔泰元：海力士龙仁集群 4 座晶圆厂总投资预计将达约 600 万亿韩元
快速阅读: SK 会长崔泰元宣布，SK 海力士将在韩国龙仁投资约 2.9 万亿元人民币，建设四座晶圆厂，首座预计 2027 年 5 月完工，因 HBM 需求增加，投资规模超预期。 IT之家 11 月 17 日消息,SK 会长崔泰元昨日韩国首 […]
发布时间：2025-11-17 11:43 来源：szf
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海力士等三巨头齐聚 HBF 新赛道，“HBM 之父”预测英伟达将收购内存厂商
快速阅读: “HBM 之父”金正浩预测，AI 时代权力重心将从 GPU 转向内存，高带宽闪存（HBF）将成为继 HBM 后的新竞争焦点，预计 2026 年初取得进展，2027 至 2028 年正式推出。 11 月 12 日消息，据 IT之家 […]
发布时间：2025-11-12 09:31 来源：szf
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SK 海力士公布未来存储路线图：HBM5 (E) 内存 2029~2031 年推出
快速阅读: SK 海力士公布未来存储路线图，将在未来推出更多更强的内存和固态硬盘。 IT之家消息，SK 集团本年度的 AI 峰会正在韩国首尔举行，在昨日的主题演讲中，SK 海力士社长郭鲁正公布了该企业的存储路线图： 在 2026~2028 […]
发布时间：2025-11-06 14:48 来源：beijing_15
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SK海力士凭借HBM激增首次超越三星，领跑全球内存市场
快速阅读: 据《《韩国先驱报》》称，7月20日，SK海力士首登全球内存芯片市场榜首，受益于AI产品和HBM芯片领先地位。其季度利润达9.2万亿韩元，远超三星。 据韩联社报道，7月20日，韩国京畿道伊川，SK海力士首次登上全球内存芯片市场榜首 […]
发布时间：2025-08-01 14:51 来源：szf
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SK 海力士确认 3GB GDDR7 内存模块正在开发中——更高的容量可能为具有 50GB VRAM 的传说中的 RTX 24 系列超级卡铺平道路
快速阅读: 据《汤姆的硬件》称，SK海力士正优化内存产品线以满足AI需求，开发新一代LPDDR内存，大规模生产12层HBM3E，并计划推出HBM4及321层NAND SSD。 据SK海力士透露，7月12日，韩国首尔，该公司正根据不断增长的人 […]
发布时间：2025-07-25 22:26 来源：szf
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SK海力士将供24Gb GDDR7 助力英伟达RTX 50 SUPER显卡
快速阅读: 据相关媒体报道，SK海力士计划2025年供应LPDDR服务器模组，并扩大GDDR7至24Gb，助力英伟达显卡。同时将推出HBM4及321层NAND闪存产品，打破供应限制。 据SK海力士24日发布的2025财年第二季度财报显示，公 […]
发布时间：2025-07-24 11:21 来源：szf
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SK海力士年内供应24Gb GDDR7 助力英伟达RTX 50 SUPER显卡
快速阅读: 据相关媒体最新报道，SK海力士计划2025年供应LPDDR服务器模组，并将GDDR7内存容量从16Gb增至24Gb，以支持AI GPU和英伟达显卡。目前24Gb GDDR7仅三星供应，SK海力士加入将提升供应稳定性。 据SK海力 […]
发布时间：2025-07-24 11:09 来源：szf
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三星本月将向AMD、英伟达提供HBM4样品 挑战SK海力士
快速阅读: 据相关媒体报道，三星将向AMD和英伟达交付HBM4样品，提升HBM市场竞争力。HBM由三星、AMD和SK海力士开发，用于AI等高性能场景。 据韩媒《亚洲日报》报道，7月21日，三星宣布将在本月底前向AMD和英伟达等客户交付HBM […]
发布时间：2025-07-21 22:58 来源：szf
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三星本月向AMD、英伟达提供HBM4样品 挑战SK海力士
快速阅读: 据相关媒体报道，三星将向AMD和英伟达提供HBM4样品，以提升市场份额。尽管HBM3进展缓慢，但HBM4量产将加剧竞争，预计HBM价格下降，英伟达将掌握定价权。HBM用于AI、高性能计算等领域。 据韩媒《亚洲日报》报道，7月21 […]
发布时间：2025-07-21 21:03 来源：szf
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SK海力士首席执行官警告称，尽管AI芯片蓬勃发展，但关税波动迫在眉睫
快速阅读: 据《韩国先驱报》最新报道，SK海力士CEO郭鲁正在员工大会上庆祝创纪录销售额的同时，对下半年因美国报复性关税带来的市场波动风险表示担忧。尽管如此，公司仍计划按部就班推进业务，并努力改善奖金制度的透明度。 SK海力士CEO郭鲁正 […]
发布时间：2025-06-11 14:57 来源：szf
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SK海力士前往硅谷招聘人工智能人才
快速阅读: 据《韩国先驱报》称，SK海力士将于本周在硅谷举办SK全球论坛，聚焦AI内存生态系统发展。活动包括CEO郭鲁正的主题演讲及系统架构讨论，展示AI相关技术并招募人才。自2012年起，该论坛成为公司全球人才战略关键部分。 SK海力士C […]
发布时间：2025-05-29 11:38 来源：szf
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SK海力士开发采用321层NAND的新型闪存芯片
快速阅读: 据《韩国先驱报》称，SK海力士开发出基于321层NAND的移动UFS 4.1闪存芯片，性能更强、更节能且更薄，满足AI设备需求，巩固其在NAND领域的领先地位。 SK海力士公司推出新款移动UFS 4.1闪存芯片 周四，SK海力士 […]
发布时间：2025-05-22 11:04 来源：szf
