快速阅读: 比利时微电子研究中心与根特大学科研人员在300mm晶圆上成功构建120层硅与硅锗结构，为高密度三维DRAM开发奠定基础，提升存储密度提供可能。 IT之家 8 月 26 日消息,众所周知,现在 NAND 闪存普遍采用 3D 堆叠结 […]
