中国测试自研EUV光刻机推进华为芯片自主

快速阅读: 据路透社援引消息人士称，华为正在对自主研发的全尺寸极紫外（EUV）光刻机原型机进行内部测试，该设备已试产测试晶圆，以构建全链条自主半导体能力，降低对外依赖，并支撑其7纳米芯片生产，目标是在2028年前实现功能性芯片量产。

近日，中国正对自主研发的极紫外（EUV）光刻机原型机开展内部测试，此举被视为推进高端芯片制造设备国产化的重要进展。据路透社援引消息人士称，该原型机已初步完成组装，目前处于实验验证阶段。

该系统采用全尺寸设计，占地面积相当于整层厂房，规模与当前主流高数值孔径EUV设备相当。其部分技术路径参考了ASML设备的关键架构，并通过从二手市场购得的旧机型部件进行逆向分析与集成。现阶段，该设备已在实验室环境下试产测试晶圆，用于工艺评估。

该项目由华为主导，旨在构建覆盖材料、设备、制造到设计的全链条自主半导体能力。受外部先进制程代工限制，该公司已在深圳观澜基地建成7纳米级芯片产线，以支撑自研处理器需求。此次EUV研发是其降低对外依赖、打造完整人工智能生态体系的关键一环。

此前有2025年报道称，华为东莞基地已测试一套采用激光诱导放电等离子体（LDP）技术的EUV样机。该方案通过高压电弧激发锡等离子体，产生13.5纳米波长光源，相较ASML所用的激光等离子体技术，或可简化结构并降低能耗。

尽管如此，该原型机仍面临分辨率、产能稳定性、运行可靠性及工艺整合等多重挑战。EUV光刻被公认为全球最复杂的制造技术之一，实现量产尚需长期技术攻关。官方目标是在2028年前达成基于该设备的功能性芯片生产。若成功，将对全球先进制程格局产生深远影响。

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引用自：Guru3D网站