英特尔代工完成首台二代High NA EUV光刻机验收

快速阅读: 据英特尔代工公司消息，其已于12月15日完成首台High NA EUV光刻机EXE:5200B的验收测试，该设备聚焦量产应用，晶圆吞吐量达每小时175片，套刻精度0.7纳米；同日，公司还在IEDM会议上联合imec展示了两项先进晶体管制造关键技术。

英特尔代工公司于当地时间近日宣布，已与ASML完成首台“二代”High NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200B的验收测试。

相较于主要用于工艺前期研发的“一代”机型EXE:5000，EXE:5200B更侧重于量产应用。该设备配备了更高功率和剂量的EUV光源，晶圆吞吐量提升至每小时175片，套刻精度达到0.7纳米。此外，其采用新型晶圆存储结构，进一步提升了整体工艺稳定性。

同日，英特尔代工在官方博客中透露，在2025年IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，该公司与比利时微电子研究中心（imec）合作展示了两项关键技术进展：一是实现对2DFET材料氧化物帽层的选择性凹陷刻蚀；二是在12英寸试生产线上成功制造出具有大马士革型顶接触结构的晶体管。

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引用自：IT之家网站