DNP开发1.4nm级NIL模板，2027年量产

快速阅读: 12月9日消息，日本大日本印刷公司成功开发线宽10纳米的NIL图案化模板，可支持1.4纳米芯片制造，能耗仅为传统光刻十分之一，计划2027年量产。

日本大日本印刷公司（DNP）今日宣布成功开发出线宽仅10纳米的纳米压印光刻（NIL）图案化模板，可支持1.4纳米级逻辑半导体及NAND闪存的制造。该技术突破有望为先进制程芯片生产提供新路径。

DNP在NIL技术领域已深耕逾20年。其最新模板融合了光掩模与晶圆制造工艺的核心技术，采用自对准双重图案化（SADP）“套刻”方案，通过在初始图案上进行薄膜沉积与蚀刻，实现线条密度倍增。此外，该公司表示，该NIL技术的能耗仅为传统光刻机曝光工艺的十分之一，显著降低制造过程中的能源消耗。

目前，DNP正与多家半导体制造商客户展开深入合作，推进技术验证与产线适配。企业计划于2027年启动该模板的批量生产，以满足未来高阶芯片制造需求。业内分析指出，NIL技术若能实现规模化应用，或将在一定程度上缓解对极紫外光刻设备的依赖，为全球半导体产业链提供多元化技术选项。

此次进展标志着NIL技术向产业化迈出关键一步，也为后摩尔时代芯片微缩提供了潜在解决方案。

(以上内容均由Ai生成)