联电获硅光子平台授权，2026年试产光子芯片

快速阅读: 12月9日消息，联华电子获比利时微电子研究中心imec的300毫米硅光子平台技术授权，将推12英寸平台开发光子芯片，聚焦高速互联需求，计划2026至2027年风险试产，推动数据中心光互连升级。

联华电子日前宣布获得比利时微电子研究中心（imec）300毫米硅光子学平台ISiPP300的技术授权。该工艺支持共封装光学（CPO）应用，将加速其在硅光子技术领域的布局。

此前，联电已实现200毫米硅光子芯片的量产，并在绝缘体上硅（SOI）晶圆工艺方面积累丰富经验。此次获得imec授权后，该公司将推出12英寸硅光子平台，聚焦下一代高速互联市场对超高带宽、低延迟和高能效的需求。

联电资深副总经理洪圭钧表示，取得imec最先进的硅光子制程技术授权，有助于加快12英寸平台的研发进程。目前，公司正与多家新客户合作，计划在该平台上开发用于光收发器的光子芯片，并于2026年及2027年启动风险试产。

此外，结合多元先进封装技术，联电未来系统架构将向共封装光学与光学输入/输出（I/O）等更高集成度方向发展。此举旨在为数据中心内部及跨数据中心场景提供高带宽、低能耗且高度可扩展的光互连解决方案，进一步推动高性能计算与通信基础设施升级。

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