台积电：十年先进制程功耗降76%

快速阅读: 据台积电披露，其从2018年N7到2028年A14制程十年间功耗降低76%，能效提升4.2倍，并推进N3P制程与HBM4E内存集成，强化AI及高性能计算芯片效能。

台积电日前在2025年OIP生态系统论坛欧洲场披露，从2018年N7制程到2028年A14制程的十年间，其先进工艺可在同等性能下将功耗降低76%，能效提升至原先的4.2倍。其间每个主要技术节点的功耗降幅均维持在30%左右。此外，若保持相同功耗水平，A14工艺芯片的运算速度可达N7制程版本的1.83倍。

该企业表示，通过持续优化制程技术，其在能效方面的进步正为人工智能、移动设备及高性能计算（HPC）等关键领域提供有力支撑。值得注意的是，台积电在3纳米系列节点中采用N3E作为基准工艺，而非早期的N3B版本，进一步体现了其对量产稳定性和能效表现的综合考量。

目前，台积电正推进下一代制程研发，并探索与先进封装、内存集成等技术的协同创新。例如，其基于N3P制程的定制版HBM4E内存方案已进入规划阶段，拟将内存控制器直接集成于基础裸片，以提升整体系统效率。这些举措有望巩固其在全球半导体制造领域的领先地位，并为下游应用提供更高性能、更低能耗的解决方案。

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