三星明年2月发布HBM4，与SK海力士同台竞技

快速阅读: 三星电子将在明年2月ISSCC展示HBM4，容量36GB，带宽3.3TB/s，较之前提升显著，通过改进技术提高速度和能效，特别优化AI大模型应用场景。

IT之家12月1日消息，据韩媒The Elec上周（11月27日）报道，三星电子计划在明年2月举行的国际固态电路会议（ISSCC）上展示HBM4。据报道，三星此次展示的HBM4容量为36GB，带宽达到3.3TB/s，较上个月展出的同容量产品带宽从2.4TB/s提升至3.3TB/s。三星通过改进堆叠结构和重新设计接口，提高了产品的速度和能效。

行业人士解释称：“三星在每个通道上应用了硅通孔（TSV）路径的对准信号（TDQS）自动校准技术，从而提高了高速区间的信号准确性，特别针对AI大模型等高流量应用场景进行了优化。”

值得注意的是，三星的竞争对手SK海力士同样计划在明年2月公开其下一代存储技术，预计将展示单Pin速率高达14.4Gb/s的LPDDR6内存，该内存配备了基于低压差稳压器（LDO）的WCK时钟分配架构，能够在超高速情况下保持信号稳定，性能优于上一代LPDDR5X。此外，SK海力士还将展示GDDR7显存，其单Pin速度最高可达48Gb/s，容量为24Gb，最大特点是能够将通道分为两部分，实现同时读写操作，适用于GPU、AI边缘推理、高分辨率游戏等场景。

ISSCC 2026定于明年2月15日至19日在美国旧金山召开，参会者主要是企业研究人员，预计会上将首次展示大量接近量产的新技术。

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