消息称三星电子、SK 海力士目标明年上半年完成 HBM4E 研发，定制化成竞争关键
快速阅读: 三星电子与SK海力士加速HBM4E研发，预计2027年HBM4E占HBM总需求40%，市场将转向定制化产品，两公司竞争加剧。
IT之家 11 月 13 日消息,据 ChosunBiz 报道,随着存储半导体行业中第六代高带宽内存(HBM4)的竞争愈发激烈,对下一代 HBM 的需求逐渐显现,促使三星电子与 SK 海力士加速推进研发进程。从第七代 HBM(即 HBM4E)开始, HBM 市场有望从以“通用型”产品为主(即厂商自主开发并量产、用以确立行业标准的产品),逐步转向“定制化”产品 —— 即核心组件(如逻辑裸片)可根据客户需求进行定制化设计与供应 。
据业内消息, 三星电子与 SK 海力士已设定目标,力争最早于明年上半年完成 HBM4E 的开发工作 。据悉,HBM4E 将搭载于包括英伟达“Rubin”平台旗舰型号 R300 在内的全球大型科技企业的新一代人工智能(AI)加速器中。鉴于搭载 HBM4E 的 AI 加速器计划于 2027 年正式发布,相关厂商正加速推进研发,以期在明年下半年完成产品品质验证。
鉴于 HBM4E 有望在两年内成为 HBM 市场的主流产品,三星电子与 SK 海力士已全面投入市场争夺战。兴国证券研究员 Son In-jun 表示:“预计明年 HBM 需求同比增速将达 77%,2027 年为 68%;而至 2027 年,HBM4E 将占 HBM 总需求的 40%。” 据IT之家了解,在 HBM4 市场,SK 海力士凭借领先地位巩固了其“单极主导”格局,并已率先行动:其成为存储半导体厂商中首家与行业龙头英伟达敲定明年 HBM4 供货量的公司。据报道,SK 海力士预计将供应英伟达 Rubin 平台初期 HBM4 用量中的相当大比重。尽管英伟达已确认三星电子已进入 HBM4 供应链,但业内消息称,双方供货谈判仍在进行中。
然而, 随着市场普遍预期定制化 HBM 需求将自 HBM4E 起全面爆发 ,部分分析认为行业格局或将迎来重塑。目前,三星电子与 SK 海力士均正积极布局定制化 HBM 市场,其关键在于 —— 作为 HBM4E“大脑”的“逻辑裸片(Base Die)”可依据客户要求进行定制化设计与制造。为及时响应这一趋势,企业需兼具按客户需求定制产品设计的能力,以及先进的晶圆代工(Foundry)制程能力。三星电子已全面内化上述能力,并自 HBM4 起即采用自家代工工艺生产逻辑裸片,持续积累实践经验。
一位半导体行业人士指出:“目前主流观点确实认为,凭借与英伟达的紧密合作关系,SK 海力士有望在 HBM4E 市场延续领先地位;但另一方面,随着全球大型科技企业纷纷自主研发 AI 加速器,对 HBM4E 定制化产品的需求日益多元化,三星电子凭借其具备快速响应能力的代工制程技术与产能储备,同样具备显著优势,市场格局存在重构可能。” 此外,美光(Micron)亦表示正与台积电(TSMC)展开合作,瞄准 HBM4E 市场。与 SK 海力士自 HBM4 起即采用台积电代工工艺制造逻辑裸片不同,美光此前在 HBM4 中采用了其自有的先进 DRAM 工艺。然而,随着客户对高性能、定制化产品需求持续提升,对先进代工制程的依赖日益增强,分析认为,美光因此转向与台积电合作,以强化其技术竞争力。
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