长鑫存储开始量产高端LPDDR5X内存芯片

快速阅读: 长鑫存储开始大规模生产LPDDR5X内存，速率最高达10,667 Mbps，推动中国半导体自主发展。同时推进HBM发展，已向华为提供16纳米HBM3样品，预计明年量产。

中国最大的内存制造商长鑫存储技术有限公司（CXMT）宣布已开始大规模生产先进的LPDDR5X内存，此举旨在推动国家在半导体等关键技术领域的自主发展。LPDDR5X是LPDDR的最新版本，这种低功耗的DDR内存专为智能手机、平板电脑和轻薄笔记本电脑等移动设备设计。LPDDR5X SDRAM特别适用于AI任务等高内存需求的应用。

据位于合肥的公司介绍，他们已于5月开始生产速率为8,533 Mbps和9,600 Mbps的LPDDR5X芯片，并正在向客户提供速率为10,667 Mbps的芯片样品。三星于2024年4月宣布其LPDDR5X芯片实现了行业领先的10.7 Gbps性能，并于去年8月开始使用12纳米工艺大规模生产这些芯片。

长鑫存储还在推进高带宽内存（HBM）的发展，这种内存常用于AI数据中心应用，目前市场主要由韩国的三星、SK海力士和美国的美光科技主导。据报道，长鑫存储已向华为及其合作伙伴提供了16纳米HBM3的样品，预计明年将进入大规模生产阶段。尽管长鑫存储的良率和成本效益仍落后于领先企业，但有消息来源称其良率仅略低于三星。

分析师估计，长鑫存储在HBM领域比行业领导者落后三到四年。三星、SK海力士和美光计划于2026年开始大规模生产HBM4。据中国方面的消息，长鑫存储的DDR5良率已超过80%，接近顶级内存企业的水平。长鑫存储正准备成为中国首家公开上市的内存芯片制造商，本月早些时候已通过中国证监会的“辅导验收”阶段。由于AI基础设施项目带来的强劲需求导致内存短缺，此次IPO预计将受到热烈追捧。

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