台积电光刻专利猛增，领先三星英特尔两倍多

快速阅读: 台积电通过加强专利布局扩大技术优势，2016年至2023年光刻技术专利申请量翻倍，远超三星和英特尔。IBM虽退出制造，仍与Rapidus合作研发2nm技术。

10 月 22 日，IT之家报道，集邦咨询 Trendforce 发布文章指出，在先进制程竞赛中，台积电正通过加强专利布局来扩大技术优势。从 2016 年到 2023 年，台积电每年提交的光刻技术专利申请量几乎翻了一番，进一步拉开了与三星和英特尔的距离。

根据专利研究工具 Patentfield 的数据，集邦咨询分析了在日本、美国、欧洲和中国等地提交的专利申请，特别关注国际专利分类号为“H01L21”（涉及半导体光刻设备）以及含有“光刻”和“EUV”关键词的专利。数据显示，自 2010 年代中期以来，台积电在“H01L21”分类下的专利申请量显著增加，2023 年达到了 1548 件，是 2016 年（723 件）的 2.1 倍。同样地，含有“光刻”关键词的专利申请量也呈现出相似的增长趋势，2023 年的申请量为 932 件，比 2016 年的 350 件增加了 1.7 倍。

此外，报告还提到了一个意外的参与者——IBM。尽管 IBM 在 2014 年退出了半导体制造业，但其位于纽约奥尔巴尼的研究中心仍在不断研发包括光刻在内的先进制程技术。报告指出，在 2nm 级别技术的开发上，IBM 已与日本半导体公司 Rapidus 结成了合作伙伴。这表明，即使不参与实际生产，掌握核心技术的研发机构在行业中的地位依然举足轻重。

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