三星HBM4提前亮相SEDEX 2025，SK海力士同台竞技
快速阅读: 三星电子与SK海力士将于10月22日首尔半导体博览会上展示HBM4内存，比预期提前一周。HBM4采用1c纳米工艺，具备更高数据带宽和低功耗，预计2025年SK海力士占HBM市场59%份额。
IT之家10月21日消息，《The Elec》今日报道，三星电子将于10月22日在首尔COEX开幕的半导体博览会（SEDEX）2025上公布并展示其HBM4内存，比预期时间提前。同时，SK海力士也将参加该展会。据行业人士透露：“两家公司正为HBM4展览准备专门展区”，“VIP参观结束后，普通观众也有机会亲眼看到HBM4实物”。
对此，三星电子与SK海力士的相关人士均表示：“确实在半导体展会上展示HBM4。”此前，业内普遍预计三星电子将在27日至31日于龙仁举办的2025年三星技术展上首次在韩国展示HBM4，此次公开时间比预期提前了一周左右。
HBM4采用了多层DRAM芯片垂直堆叠并通过硅通孔（TSV）技术实现3D封装，相比传统的DDR技术，具备更高的数据带宽和更低的功耗。此前的消息显示，三星电子通过在HBM4上采用1c纳米工艺，进一步增强了竞争力。1c是10纳米级的DRAM工艺，比1b DRAM先进一代，其电路线宽更细，性能和能效更高，与使用较为成熟的1b DRAM的SK海力士形成了对比。
TrendForce预测，到2025年，SK海力士将占据HBM市场59%的份额，而三星和美光则各自占据约20%的市场份额。IT之家将持续关注这一领域的发展。
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