三星HBM4良率突破50%，加速布局光刻机抢市

快速阅读: 三星下一代1c DRAM在HBM4上良率达到50%，正扩大High-NA EUV光刻机产能，加速HBM4和HBM4E量产。三星购入5台全新High-NA EUV光刻机，其中2台用于代工事业部，其余专供存储事业部，预示建立专门内存生产线。

IT之家10月17日消息，科技媒体TweakTown今日报道，三星下一代1c DRAM在HBM4上的良率已达到50%，同时公司正在扩大High-NA EUV光刻机的产能，以加快HBM4和HBM4E的量产。据消息人士Jukanlosreve昨日在X平台发文，三星正加速在DRAM领域的投资，从ASML购入5台全新的High-NA EUV光刻机，其中2台将部署在三星半导体代工事业部，其余则专供存储事业部。TweakTown分析认为，三星此举预示着将建立专门的内存生产线，以加快HBM4的量产速度，并提前布局HBM4E和下一代HBM5。

一位半导体行业人士表示：“过去三星的代工和存储业务在韩国平泽园区共享EUV工艺，但随着最新变化，新增的五台光刻机将专供存储业务。”作为参考，三星平泽园区的DRAM部门目前每月大约生产30万片晶圆，生产线几乎满负荷运行。然而，另一位业内人士透露，如果北美主要客户追加订单，剩下的三台光刻机可能会被送往美国德克萨斯州泰勒市的晶圆厂。

相比之下，三星的竞争对手SK海力士在HBM领域仍占据领先地位，为英伟达Blackwell系列GPU提供HBM3和HBM3E芯片。三星此举势必会扩大DRAM产能，加剧与SK海力士的竞争。文中包含的对外跳转链接（包括但不限于超链接、二维码、口令等形式）用于提供更多相关信息，结果仅供参考，IT之家所有文章均包含此声明。

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