三星电子斥资54亿引进High-NA EUV光刻机量产芯片

快速阅读: 三星电子计划投资约1.1万亿韩元引进两台High-NA EUV光刻机，用于下一代半导体芯片和高性能DRAM生产，预计今年内引进首台，明年上半年引进第二台。

IT之家10月15日消息，《韩国经济日报》今日报道，三星电子计划投入约1.1万亿韩元（约合54.92亿元人民币）引进两台最新的High-NA双级极紫外（EUV）光刻机。据业内人士透露，三星电子此前仅在京畿道园区引进过一台用于研发的High-NA EUV设备，此次引进的机器将首次用于“产品量产”。三星电子计划在今年内引进一台，并在明年上半年再引进一台。

Twin Scan EXE:5200B是第二款数值孔径（NA）为0.55或“High-NA”的极紫外光刻系统，也是TWINSCAN EXE:5000的升级版，不仅提升了对准精度，还显著提高了生产效率，被认为是生产下一代半导体芯片和高性能DRAM的必备设备。与NXE系统相比，EXE:5200B的成像对比度提高了40%，分辨率达到了8纳米，使得芯片制造商能够通过单次曝光实现比TWINSCAN NXE系统精细1.7倍的电路刻蚀，从而将晶体管密度提升至原来的2.9倍。这有助于简化大规模生产中的工艺流程，提高客户晶圆厂的晶圆产量。

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