消息称英伟达考虑“首发”台积电首个背面供电先进制程 A16

快速阅读: 英伟达考虑采用台积电A16制程，该技术通过背面供电改善压降问题，提升芯片性能和密度，适用于高性能计算。此举打破英伟达20年来未用台积电最先进制程的惯例。

IT之家 9 月 15 日消息，台媒《工商时报》今日援引供应链消息表示，英伟达考虑率先采用台积电首个采用背面供电（BSPDN）技术的先进制程节点 A16。据报道，英伟达上次使用台积电最先进制程技术制造芯片是在 2004 年的 110nm 时期，即 NV43 芯片。英伟达打破这持续 20 余年的“常规”，是因为看好 A16 的潜力。

台积电在 A16 中引入了名为超级电轨（Super Power Rail, SPR）的解决方案，不仅释放了晶圆正面的空间，还大幅改善了压降问题，同时保持了与传统正面供电相同的栅极密度、布局版框尺寸和组件宽度调节的灵活性。

相比台积电第二代 2nm 制程工艺 N2P，A16 在相同工作电压下速度提升 8% 至 10%，在相同速度下功耗降低 15% 至 20%，芯片密度提升 10%，展示了全面的 PPA 改进，适用于 HPC 高性能计算芯片。近年来，台积电先进制程的首发芯片多为移动处理器或矿机芯片，但在 N2 节点上，AMD 以“Zen 6”EPYC “Venice”打破了这一局面，显示 AI 和 HPC 已步入全球半导体市场的中心。英伟达有望利用台积电 A16 制程打造继“Rubin”之后的下一代“Feynman”AI GPU。

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