英伟达计划自研3nm HBM内存，预计2027年下半年试产

快速阅读: 英伟达启动自研HBM基础裸片计划，采用3纳米工艺，2027年下半年试产，旨在增强议价能力，引入高级功能，改变HBM市场竞争格局。

台媒《工商时报》本月16日报道，英伟达启动自家HBM内存基础裸片设计计划。英伟达未来HBM内存供应链将采用内存原厂DRAM裸片与英伟达基础裸片的组合模式，有望改变下一代HBM市场竞争格局。

英伟达自研HBM基础裸片将采用3纳米工艺制程，预计2027年下半年开始小规模试产。这一时间点大致对应“Rubin”之后的下一代AI GPU“Feynman”。

随着传输速率和功能要求的提升，从HBM4开始，HBM内存的基础裸片转向逻辑半导体制程。英伟达在这一领域的设计经验明显多于SK海力士等纯存储半导体制造商。

英伟达自研基础裸片有助于增强其对HBM内存的议价能力，有利于引入一系列高级功能，并能为采用NVLink Fusion IP的第三方ASIC提供更多模块化组合。

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