英伟达自研3nm HBM内存，计划2027下半年试产

快速阅读: 英伟达启动自研HBM内存基础裸片计划，采用3nm工艺，2027年下半年试产，旨在增强议价能力和引入高级功能，改变HBM市场竞争格局。

英伟达启动自家 HBM 内存基础裸片设计计划。未来英伟达的 HBM 内存供应链将采用内存原厂 DRAM 裸片与英伟达基础裸片的组合模式，有望改变下一代 HBM 市场的竞争格局。

英伟达自研的 HBM 基础裸片将采用 3nm 工艺制程，预计 2027 年下半年开始小规模试产。这一时间点大致对应“Rubin”之后的下一代 AI GPU “Feynman”。

由于传输速率和功能要求的提升，从 HBM4 开始，HBM 内存的基础裸片转向逻辑半导体制程。英伟达在这一领域的设计经验明显多于 SK 海力士等纯存储半导体制造商。

英伟达自研基础裸片有助于增强其在 HBM 内存市场的议价能力，有利于引入一系列高级功能，并为采用 NVLink Fusion IP 的第三方 ASIC 提供更多模块化组合。

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