SK海力士推进1c DRAM六层EUV工艺，领先三星

快速阅读: 8月11日，SK海力士计划在1c DRAM量产中应用六层EUV工艺，以提升DDR5及HBM产品性能，巩固市场领先地位，提高良品率和利润率。

IT之家 8 月 12 日消息,科技媒体 WccfTech 昨日(8 月 11 日)发布博文,报道称 SK 海力士(SK Hynix)为了推动 DDR5 及高带宽存储(HBM)产品性能升级,并在新一代存储技术中占据领先地位, 计划在量产 1c DRAM 上应用六层极紫外光(EUV)工艺。

该媒体指出,该工艺不仅刷新了行业标准,也为 DDR5 和高带宽存储(HBM)产品带来更高性能。IT之家援引博文介绍,EUV 技术采用 13.5 纳米波长,可在电路中实现更精细的结构刻画,减少多重图案化(multi-patterning)步骤。

传统 DRAM 制造多采用 EUV 与深紫外(DUV)工艺混合,而 SK 海力士此次在 1c DRAM 全面采用六层 EUV 工艺,不仅可以简化生产流程,而且有助于提升产品良品率和利润率。

该媒体认为在新一轮技术竞赛中,SK 海力士此举不仅巩固了其在存储市场的领先地位, 也为其与三星等竞争对手的较量增添了新优势。

1c DRAM 目前尚未广泛应用于主流消费级内存,但 SK 海力士正积极探索其在更大容量 DDR5 及 HBM 产品中的可能性。消息称 SK 海力士将持续加码 EUV 工艺布局,为后续 1d、0a 等新一代 DRAM 产品全面引入 EUV,最终推动高数值孔径(High-NA)EUV 技术的集成。

通过 EUV 工艺,SK 海力士能够生产更高密度、更高速、更节能的 DDR5 及高容量 HBM 芯片,显著提升产能和良品率,尤其在 HBM4 等未来产品中,1c DRAM 的应用有望带来性能与容量的双重突破,为人工智能、高性能计算等领域提供更强支撑。

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