清华研发出理想EUV光刻胶材料

快速阅读: 据相关媒体报道，清华大学许华平团队开发出基于聚碲氧烷的新型EUV光刻胶，解决了传统材料结构复杂、易产生缺陷等问题，为半导体技术发展提供新方向。

据清华大学报道，7月16日，北京，清华大学化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料研究上取得重要进展，成功开发出一种基于聚碲氧烷（Polytelluoxane, PTeO）的新型光刻胶。这一成果已发表在《科学进展》杂志上。

研究显示，这种新型光刻胶融合了高吸收元素碲（Te）、主链断裂机制与材料均一性的设计思路，有望推动下一代EUV光刻材料的发展，助力先进半导体工艺技术革新。

当前，主流EUV光刻胶多依赖化学放大机制或金属敏化团簇来提高灵敏度，但常面临结构复杂、组分分布不均、反应易扩散等问题，容易引入随机缺陷。理想的EUV光刻胶应具备高EUV吸收能力、高能量利用效率、分子尺度均一性和小构筑单元四大特点。许华平教授团队基于聚碲氧烷开发的新材料，有效解决了这些问题，为构建理想光刻胶体系提供了新的方向。

(以上内容均由AI生成)