DDR6内存单通道位宽提升50% 或于2027年大规模应用
快速阅读: 据相关媒体报道,JEDEC正推进DDR6内存规范,三大厂商已完成原型设计。DDR6单通道位宽达96位,频率最高17600MT/s,2027年大规模应用。CAMM将取代DIMM。
据《工商时报》报道,7月23日,JEDEC 正在积极推进 DDR6 内存规范的准备工作。目前,三大 DRAM 内存原厂已完成了 DDR6 原型芯片的设计。新一代 DDR 内存有望在 2026 年完成平台测试与验证,并于 2027 年进入大规模应用阶段。
DDR6 的单通道位宽将提升 50%,达到 96 位,同时子通道划分从 DDR5 时期的 2×32 位细化至 4×24 位。其原生频率起始为 8800MT/s,最高可达到 17600MT/s。这一变化有利于笔记本电脑 SoC 等双内存规范平台简化设计。
为了应对 DDR6 对信号完整性和 I/O 设计的更高要求,新兴的 CAMM 系预计将取代传统的 DIMM 成为主流解决方案。
(以上内容均由AI生成)