三星：现有技术无法满足20层HBM内存生产需求

快速阅读: 据相关媒体最新报道，三星电子副总裁金大宇表示，现有TCB技术难以满足20层以上HBM需求。HCB技术可提升堆叠层数33%，降低热阻20%。16层HBM将成TCB转向HCB的关键节点，HBM5将全面应用HCB。

据韩媒ETNews、ZDNET Korea报道，7月22日，韩国首尔，三星电子公司副总裁、系统封装实验室领导金大宇在一场产业研讨会上表示，现有的热压缩键合（TCB）技术无法满足未来20层以上HBM内存堆栈的生产需求。

金大宇指出，负责连接各层DRAM芯片的键合工艺在HBM制造中至关重要，传统的TCB技术含有凸点结构，限制了间距的进一步缩小，并增加了热阻。三星电子提供的数据显示，采用无凸点的混合键合（HCB）技术可以将堆叠层数提高约三分之一，热阻降低20%。

三星电子将16层堆叠视为HBM内存键合技术从TCB转向HCB的关键节点，这大致对应HBM4E内存代。预计到HBM5时代，混合键合技术将实现全面应用。

(以上内容均由AI生成)