三星：现有技术无法支持20层HBM内存生产
发布时间：2025年7月22日
来源：szf
快速阅读: 据相关媒体报道，三星电子副总裁金大宇表示，现有热压缩键合（TCB）技术无法满足20层以上HBM需求。无凸块混合键合（HCB）可提升堆叠层数约1/3，降低热阻20%。三星将16层HBM视为转向HCB的关键节点。
据韩媒ETNews、ZDNET Korea报道，7月22日，韩国首尔，三星电子公司副总裁、系统封装实验室领导金大宇在一场产业研讨会上表示，现有的热压缩键合（TCB）技术无法满足未来20层（16层以上）HBM内存堆栈的生产需求。负责连接各层DRAM Die的键合工艺在HBM制造中起着关键作用，传统TCB技术包含凸块结构，这不仅限制了进一步的间距压缩，还增加了热阻。三星电子提供的数据显示，无凸块的混合键合（HCB）技术可将堆叠层数提高约1/3，热阻降低最多20%。三星电子将16层堆叠视为HBM内存键合技术从TCB转向HCB的关键节点，这大致对应HBM4E内存代，到HBM5时，混合键合技术将实现全面应用。
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