三星瞄准70%良率 全力冲刺2nm GAA工艺挑战台积电

快速阅读: 相关媒体消息，三星启动“精选和聚焦”战略，专注提升2纳米工艺良率，目标达70%，并推广GAA晶体管技术，计划未来两年内实施第三代工艺。

据韩媒chosu报道，7月22日，三星电子宣布启动“精选和聚焦”战略，集中资源提升2纳米工艺的良率，希望通过产量和成本优势挑战台积电。消息人士透露，三星预计2纳米芯片的需求将持续至少3年以上，为避免重蹈3纳米工艺的覆辙，公司正加强芯片散热和稳定性，并提升性能。

三星电子正在平泽等地建设2纳米工艺生产线，并将1.4纳米工艺的量产计划从2027年推迟到2029年，以集中精力提高2纳米工艺的良率。三星的GAA晶体管技术在2纳米工艺中也将得到应用，有助于技术的稳定。

此前报道显示，台积电、英特尔和三星电子的2纳米工艺良率分别为约65%、55%和40%，三星的目标是将良率提升至70%。在提升良率的同时，三星将进一步扩大GAA晶体管的应用范围，第二代工艺设计已基本完成，目前正研究名为“SF2P+”的第三代工艺，计划在未来两年内实施。

尽管面临诸多挑战，但最新报告显示，三星正在逐步改进其下一代光刻技术，预计未来四年内2纳米工艺生产的芯片将有巨大的市场需求。

(以上内容均由AI生成)