Rapidus启动2nm GAA晶体管试产 首块晶圆面世
快速阅读: 据相关媒体最新报道,日本Rapidus于7月18日启动2nm GAA晶体管试制,展示首块2nm晶圆,标志着全球先进制程进入“四厂争霸”阶段。公司计划2027年实现2nm芯片量产。
据IT之家报道,7月18日,日本先进半导体制造商Rapidus宣布正式启动2nm全环绕栅极(GAA)晶体管的试制,并展示了首块2nm GAA晶圆。这是全球最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”的关键一步。
Rapidus于2023年9月1日为其首座晶圆厂IIM-1举行了奠基仪式,预计2024年12月完成洁净室准备,2025年4月1日实现初始图案的曝光与显影,2025年6月完成由200多个制造单元组成的生产线建设。此外,Rapidus正在开发与其2nm工艺兼容的设计工具包(PDK),计划在2026年第一季度末向客户交付。公司仍按计划在2027年实现2nm芯片的量产。
(以上内容均由AI生成)