日本Rapidus启动2nm GAA晶体管试产 首片晶圆面世
发布时间：2025年7月18日
来源：szf
快速阅读: 相关媒体消息，日本Rapidus宣布启动2纳米GAA晶体管试制，展示首块2纳米晶圆，标志着先进制程进入“四厂争霸”阶段。该公司预计2027年实现2纳米芯片量产。
据日本先进半导体制造商Rapidus今日宣布，7月18日，该公司正式启动2纳米全环绕栅极（GAA）晶体管的试制，并展示了首块2纳米GAA晶圆。这一进展标志着最尖端逻辑制程从“三足鼎立”迈向“四厂争霸”的关键一步。
Rapidus于2023年9月1日为其首座晶圆厂IIM-1举行了奠基仪式，预计2024年12月完成洁净室准备，2025年4月1日实现初始图案的曝光与显影，同年6月完成由200多个制造单元组成的生产线。此外，Rapidus正在开发与其2纳米工艺兼容的设计工具包（PDK），计划在2026年第一季度结束前向客户交付。该公司仍按计划于2027年实现2纳米芯片的量产。
(以上内容均由AI生成)
