SK海力士开发采用321层NAND的新型闪存芯片

快速阅读: 据《韩国先驱报》称，SK海力士开发出基于321层NAND的移动UFS 4.1闪存芯片，性能更强、更节能且更薄，满足AI设备需求，巩固其在NAND领域的领先地位。

SK海力士公司推出新款移动UFS 4.1闪存芯片

周四，SK海力士宣布成功开发了一款基于全球最高321层1太比特（Tb）NAND闪存技术的移动通用闪存存储芯片。这款全新UFS 4.1芯片不仅提供更快的数据处理速度，还显著提升能效，专为设备内置人工智能功能进行优化。

根据SK海力士介绍，与上一代搭载238层NAND的UFS产品相比，新产品的能效提升了7%。同时，这款芯片的厚度仅为0.85毫米，较此前的1毫米型号更为纤薄，能够更好地适配超薄智能手机设计。

在性能方面，这款芯片的顺序读取速度达到了惊人的每秒4300兆字节（MB/s），成为目前第四代UFS产品中最快的解决方案。此外，随机读取速度提高了15%，而随机写入速度更是提升了40%，在同类产品中表现卓越。

SK海力士指出，这款全新的UFS 4.1芯片将满足市场对高性能、低功耗NAND解决方案不断增长的需求，为AI驱动的移动设备提供稳定支持。

“我们正通过构建以AI技术为核心的产品组合，逐步确立在NAND领域的全栈AI内存供应商地位。”SK海力士首席开发官安铉如是说道。

这一突破性的技术创新，不仅推动了移动存储行业的进步，也为未来智能设备的发展奠定了坚实基础。

(以上内容均由Ai生成)