比 SRAM 更快！来自中国的新型闪存技术比美国、日本或韩国的 NAND 竞争对手快数百万倍 – 但请更改其名称
快速阅读: 据《科技雷达专业版》称，中国科研团队研发出最快非易失性半导体存储设备“PoX”，单比特写入仅400皮秒，结合速度与持久存储能力，为AI等低延迟任务提供支持，未来将集成至智能手机和计算机中。
中国研究人员开发出超快非易失性闪存
（图片来源：高二强/ chinadaily.com.cn）
中国科研团队成功研发出目前最快的非易失性半导体存储设备，其单比特写入速度仅为400皮秒。该设备被称为“PoX”（相变氧化物），由上海复旦大学的研究人员利用二维石墨烯通道的闪存装置设计而成。研究团队通过狄拉克石墨烯通道与电荷捕获堆栈构建了这一设备。其运行速度远超通常与SRAM和DRAM等易失性内存相关的系统级访问时间，后者的访问时间一般在1到10纳秒之间。一皮秒相当于一纳秒的千分之一。
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为未来应用奠定基础
诸如SRAM和DRAM这类易失性内存虽然具备高速特性，但在断电后会丢失数据。而非易失性闪存即使在断电情况下也能保留数据，但通常操作延迟较高，NAND级别的延迟甚至可达数十微秒。这使其在需要低延迟的任务（如AI推理）中表现不佳。“PoX”设备通过结合速度与持久存储能力填补了这一空白。
基于石墨烯的设备采用了二维热载流子注入机制。其薄体结构增强了水平电场，提高了载流子加速与注入效率。在5伏电压条件下，该设备实现了400皮秒的写入速度，并在超过550万次循环中保持性能稳定。长期保存测试显示，在模拟的10年时间内数据依然保持完好。
“通过AI算法优化工艺测试条件，我们显著推进了这项创新，并为其未来应用奠定了坚实基础。”研究负责人周鹏表示。
刘春森也参与了这项研究，他表示团队已成功制造出完全功能的芯片，并计划将其集成到现有设备中。
“下一步是将其整合进现有的智能手机和计算机中，”他说道，“这样当我们部署本地模型时，将不再受制于现有存储技术引发的延迟和发热问题。”
来源：《自然》
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韦恩·威廉姆斯
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编辑：韦恩·威廉姆斯是一位为TechRadar Pro撰写新闻的自由撰稿人。他在计算机、技术和网络领域拥有30年的写作经验。在此期间，他曾为英国多家PC杂志供稿，并创办、编辑和发行过一些杂志。
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