“电子，直冲！”发现 AI 计算的捷径

快速阅读: 据《欧亚评论》最新报道，韩国浦项科技大学研究人员揭示电化学随机存取存储器（ECRAM）的工作机制，该技术或大幅提升AI运行效率。研究发现其内部氧空位形成的电子通道可优化电子传输，增强稳定性。若商业化，将显著改善AI设备性能并延长电池寿命，推动智能计算发展。

随着人工智能（AI）的持续发展，浦项科技大学（POSTECH）的研究人员取得了一项突破性成果，可能使AI技术运行得更快、更高效。来自POSTECH材料科学与工程系及半导体工程系的金世英教授与权贤贞博士，携手IBM托马斯·沃森研究中心的冈野欧基博士，首次揭示了电化学随机存取存储器（ECRAM）的隐藏工作机制，这种技术被认为是下一代AI关键技术的核心之一。这项开创性的研究成果已发表于国际著名期刊《自然·通讯》。

随着AI技术的进步，数据处理的需求呈指数级增长。然而，现有的计算系统将数据存储（“内存”）与数据处理（“处理器”）分开，导致因数据在这两个单元间传输而耗费大量时间和能源。为解决这一难题，研究者提出了“存算一体”的理念。“存算一体”能在内存中直接完成计算，消除了数据移动，实现了更快、更高效的运算。而ECRAM正是实现这一理念的关键技术。

ECRAM器件利用离子运动来存储和处理信息，支持连续的模拟数据存储。然而，由于其复杂结构以及高电阻氧化物材料的理解难度，这一技术的商业化进程一直受到限制。为了克服这些问题，研究团队设计出一种多端结构的ECRAM器件，使用氧化钨，并结合“平行偶极线霍尔系统”，从而可以在超低温（-223℃，50开尔文）到室温（300开尔文）范围内观察内部电子动态。他们首次发现，ECRAM内部的氧空位会形成浅能级的施主态（约0.1电子伏特），有效地构建了一个电子自由迁移的“通道”。这一机制不仅增加了电子数量，还从根本上优化了电子传输的环境。更为重要的是，该机制在极低温度下依然表现稳定，展示了ECRAM器件卓越的稳定性和耐久性。

POSTECH的金世英教授指出：“这项研究的意义在于通过实验证明了ECRAM在不同温度下的开关机理。如果这项技术得以商业化应用，它将极大提升智能手机、平板电脑以及笔记本电脑等设备中的AI性能，并延长电池使用寿命。”

这项研究不仅填补了ECRAM技术领域的空白，也为未来AI技术的发展提供了新的方向，标志着人类在智能计算领域迈出了坚实的一步。

(以上内容均由Ai生成)