ROHM 开发出低导通电阻、高功率 MOSFET

快速阅读: 据《硅半导体》称，罗姆半导体开发新款DFN5060-8S封装功率MOSFET，提升服务器电源效率与可靠性，计划扩大AI服务器相关产品的生产能力，拓展产品线以满足更多应用需求。

随着高数据处理技术与数字化转型的加速推进，数据中心服务器的需求不断攀升。与此同时，具备先进计算能力、专用于AI处理的服务器数量也在增加，并预计这一趋势将持续下去。这些服务器全年无休地运行，以保障系统的连续性。因此，功率模块中多个MOSFET的导通损耗对整体性能与能效有着重要影响，推动了低导通电阻MOSFET的需求增长。此外，那些支持带电情况下更换和维护内部板卡及存储设备的服务器，在组件更换过程中会遭遇高浪涌电流的问题。为了保护服务器部件以及MOSFET免受损害，宽广的安全工作区（SOA）容限显得尤为重要。

针对上述挑战，罗姆半导体公司开发了一款全新的DFN5060-8S封装，相较于传统设计，能够容纳更大的芯片，推出了系列功率MOSFET，实现了行业内领先的低导通电阻和宽SOA能力。这些新产品显著提升了服务器电源电路的效率并增强了其可靠性。这三款产品均采用了全新开发的DFN5060-8S封装（尺寸为5.0毫米×6.0毫米）。相比传统的HSOP8封装（同样为5.0毫米×6.0毫米），该封装的内部芯片面积增加了大约65%。结果，RS7E200BG（30V）和RS7N200BH（80V）分别达到了0.53毫欧姆和1.7毫欧姆（在VGS=10V时）的导通电阻——这两项指标在5.0毫米×6.0毫米类别中处于行业领先地位，大幅提高了服务器电源电路的工作效率。

此外，罗姆优化了内部引脚设计以增强散热性能，进一步提升了SOA耐量，确保了应用的可靠性。值得一提的是，RS7E200BG（30V）在脉宽1毫秒、VDS=12V条件下实现了超过70安培的SOA耐量，是同类条件下传统HSOP8封装MOSFET的两倍，在5.0毫米×6.0毫米封装尺寸内展现了行业领先的SOA性能。

展望未来，罗姆计划从2025年开始逐步扩大适用于AI服务器热插拔控制器电路的功率MOSFET的生产能力，并继续拓展产品线，为更多应用场景提供更高效率和可靠性的解决方案。

(以上内容均由Ai生成)