Rohm 为高性能企业和 AI 服务器开发业界领先*的低导通电阻高功率 MOSFET
快速阅读: 据《GlobeNewswire（新闻稿）》最新报道，罗姆半导体开发出低导通电阻和高安全工作区（SOA）容限的N沟道功率MOSFET，专用于高性能服务器电源。新产品通过优化封装和设计提升效率与可靠性，已开始量产并上市。
**美国加州圣克拉拉和日本京都，2025年4月10日（美通社）——罗姆半导体公司开发了具有业内领先低导通电阻和宽广安全工作区（SOA）容限的N沟道功率MOSFET。这些产品专为高性能企业服务器和AI服务器内部的电源供应设计。**
随着高水平数据处理技术的进步和数字化转型的加速，市场对低导通电阻MOSFET的需求不断增长。与此同时，具备先进AI处理计算能力的服务器数量正在快速增加，并预计将持续增长。这些服务器需要持续运行，因此，功率模块中多个MOSFET的导通损耗对系统性能和能源效率有着显著影响。特别是在AC-DC转换电路中，导通损耗占据了总功率损耗的很大比例，这进一步推动了对低导通电阻MOSFET的需求。此外，在带电情况下更换和维护内部板卡及存储设备的服务器会在组件交换期间产生高浪涌电流。因此，为了保护服务器组件和MOSFET免受损坏，宽广的安全工作区（SOA）容限成为必不可少的技术指标。
为了解决这些问题，罗姆开发了全新的DFN5060-8S封装，相比传统设计，这种封装支持更大的芯片面积，从而形成了系列具有行业领先低导通电阻和宽广SOA容限的功率MOSFET。这些新产品显著提升了服务器电源电路的效率与可靠性。
新系列产品包括三种产品。RS7E200BG（30V）专为12V电源的高性能企业服务器的二次侧AC-DC转换电路和热插拔控制器（HSC）电路优化设计；RS7N200BH（80V）和RS7N160BH（80V）均为80V等级，适用于48V人工智能服务器电源的二次AC-DC转换电路。所有三个型号均采用新开发的DFN5060-8S封装（5.0mm × 6.0mm）。与传统的HSOP8封装（5.0mm × 6.0mm）相比，该封装将内部芯片面积增加了约65%。结果，RS7E200BG（30V）和RS7N200BH（80V）分别实现了当VGS=10V时0.53mΩ和1.7mΩ的导通电阻，这两个数值都在5.0mm × 6.0mm类别中处于行业领先地位，显著提升了服务器电源电路的效率。
此外，罗姆优化了内部引线框架设计以增强散热性能，进一步提高了SOA容限，从而确保应用的可靠性。值得注意的是，RS7E200BG（30V）在脉冲宽度为1ms和VDS=12V条件下实现了超过70A的SOA容限，是相同条件下传统HSOP8封装MOSFET的两倍，确保了5.0mm×6.0mm封装尺寸下领先的SOA性能。
展望未来，罗姆计划自2025年起逐步开始量产适用于AI服务器热插拔控制器电路的功率MOSFET，继续扩展其产品线，以提高各种应用的效率与可靠性。
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**产品系列**
查看产品系列：
– **RS7E200BG**：适用于12V电源中的二次侧AC-DC转换电路和HSC电路
– **RS7E200BG 和 RS7N160BH**：均为80V等级，适用于48V人工智能服务器电源的二次AC-DC转换电路
**EcoMOS™品牌**
罗姆为电力设备领域节能应用设计的硅功率MOSFET品牌。广泛应用于家用电器、工业设备和汽车系统等领域，EcoMOS提供多样化的产品线，可根据噪声性能和开关特性等关键参数进行产品选择，以满足特定需求。EcoMOS™是罗姆有限公司的商标或注册商标。
**应用实例**
– 12V高性能企业服务器电源的AC-DC转换和HSC电路
– 48V人工智能服务器电源的AC-DC转换电路
– 12V高性能企业服务器电源的AC-DC转换和HSC电路
– 48V工业设备电源（如风扇电机）
**在线销售信息**
现已上市，适用产品：
– RS7E20BG
– RS7N200BH
– RS7E20BG
– RS7N160BH
这些产品可在DigiKey™、Mouser™和Farnell™购买，并将在其他在线分销商处陆续推出。DigiKey™、Mouser™和Farnell™均为其所属公司的商标或注册商标。
**附件**
罗姆的N沟道功率MOSFET产品，具有低导通电阻和宽广SOA容限
产品线 – 罗姆的N沟道功率MOSFET
(以上内容均由Ai生成)
