Rapidus 将于本月开始试生产其 2nm 工艺 — 日本更接近尖端硅制造

快速阅读: 《Tom 的硬件》消息，日本芯片制造商急速公司正加速推进2纳米芯片试产，计划7月完成首批测试芯片，并在2027年前实现大规模生产。该公司在北海道千岁市建设的创新集成制造设施已开始设备调试，重点发展全自动先进封装技术。此外，其新设研发中心将专注后端制造，推动相关技术研发。

日本政府支持的芯片制造商急速公司（Rapidus）已经开始调试设备，为本月底开始试产芯片做准备。根据彭博社报道，该公司计划在7月前完成首批测试芯片，并希望在2027年开始其2纳米级工艺技术的大规模生产。之后，公司打算向早期客户提供工艺设计套件（PDK），并提供机会让他们进行设计原型制作。

急速公司去年年底开始在其位于北海道千岁的创新集成制造（IIM）设施中安装半导体生产设备，其中包括ASML先进的极紫外光刻（EUV）和深紫外光刻（DUV）系统。截至目前，该公司可能已经实现了先进工具的“首次亮光”里程碑，因此预计可以开始利用其基于全环绕栅极晶体管的2纳米制程工艺生产自己的芯片。与台积电、三星代工和英特尔代工等老牌企业相比，急速公司的主要优势之一是其完全自动化的先进封装能力，这种能力将在同一工厂内运行晶圆加工，这是目前尚无任何公司实现的。这将大大加快需要先进封装的设计的生产周期。不过，目前急速公司仅会提供芯片的试点生产，而不会提供试封装服务。

急速公司在千岁的精工爱普生工厂设立了新的研发中心，名为急速芯片解决方案（Rapidus Chiplet Solutions，RCS）。RCS的筹备工作自2024年10月就已经展开，从本月开始，公司将开始在该地点安装生产设备，重点聚焦于后端制造环节。该设施将用于建立一条试点生产线，旨在开发可扩展的制造技术。RCS的工作内容包括推进重布线层（RDL）中介结构、三维封装方法、复杂后端操作的组装设计套件（ADK）以及已知合格裸片（KGD）测试流程。

“急速公司的IIM制造设施建设进展顺利，截至上一财年末，我们已经完成了启动试点运营所需的半导体制造设备的安装，”急速公司代表董事兼首席执行官小池敦义博士指出。“在NEDO项目计划和预算获得批准后，我们将在4月启动试点生产线，逐步迈向2027年大规模生产的既定目标。”

急速公司的努力不仅展示了其在半导体领域的雄心壮志，也表明了日本在全球半导体竞争中的重要地位。未来几年，随着试点生产线的逐步完善，急速公司有望成为全球半导体行业的重要参与者。

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