英伟达 CEO 称赞三星芯片，但对 HBM 交易保持沉默

快速阅读: 据《韩国先驱报》称，黄仁勋在GTC 2025上未明确回应三星HBM3E芯片是否用于英伟达Blackwell Ultra，引发对其订单前景猜测。三星计划二季度量产HBM3E，2025年下半量产HBM4。尽管如此，三星股价持续上涨，董事长李在镕呼吁全力提升竞争力。黄仁勋强调英伟达不仅是芯片制造商，更是AI基础设施供应商。

英伟达首席执行官黄仁勋周二在加州圣何塞的SAP中心主题演讲会上介绍了新产品。（法新社-韩联社）

英伟达首席执行官黄仁勋高度评价三星电子，称其为出色的芯片制造商，但并未直接回应该公司在供应尖端高带宽内存（HBM）芯片方面的作用，引发外界对三星是否能赢得主要人工智能客户订单的猜测。

周三，在圣何塞举行的英伟达GTC 2025开发者大会新闻发布会上，黄仁勋表示，他预计三星将扮演“重要角色”。不过，当被问及三星最新推出的HBM3E芯片是否会用于英伟达下一代图形架构Blackwell Ultra时，黄仁勋没有明确回答。他转而解释说，三星具备将HBM基础裸片与应用特定集成电路及内存集成在一起的能力，这是制造领先人工智能芯片的关键技术。

黄仁勋模棱两可的回答进一步加剧了关于三星能否赢得英伟达订单的讨论，而后者是行业内最大的高端HBM芯片采购商之一。

尽管存在这些担忧，三星电子的股价依然强劲，在周四延续上涨趋势，董事长和高管们再次强调推动股价增长的决心。行业消息人士透露，三星董事长李在镕近期敦促员工以“生死存亡”的态度重获公司竞争优势，同时承认公司在关键业务领域的挑战。“重要的不是危机本身，而是我们如何应对它。即便牺牲短期利润，我们也必须投资未来，”据报道称，李在镕在一段预先录制的视频中向大约2000名三星高管发表了一次罕见且直接的讲话。

三星高管也承诺全力以赴推动市场回暖。三星半导体业务负责人全永贤确认，公司将在今年第二季度或下半年开始大规模生产其12层HBM3E芯片，而下一代HBM4芯片则计划于2025年下半年进入大规模生产。

截至周四下午2:30，三星电子股价上涨2.56%，达到60,000韩元（约合41美元），连续两天上涨。为了充分发挥其12层HBM3E芯片的潜力，三星需要与英伟达达成供应协议，而黄仁勋透露Blackwell Ultra将于今年下半年推出。

在GTC 2025上，黄仁勋发布了英伟达下一代图形架构Vera Rubin，计划于2026年底发布。当前在HBM市场竞争中，三星落后于规模较小的竞争对手SK海力士。SK海力士已向客户供应12层HBM3E芯片，并在GTC 2025上展示了下一代12层HBM4原型。

与此同时，黄仁勋淡化了特朗普政府关税的影响，称这些关税不会在短期内对公司财务业绩产生重大影响。“我们拥有非常灵活的供应商网络；它们不仅位于台湾、墨西哥或越南，”黄仁勋在新闻发布会上表示，“如果我们能在今年年底前增加本土制造，我们就应该能够很好地应对。”

美国总统特朗普威胁对进口计算机芯片加征额外关税，继续推行针对墨西哥、加拿大和中国等主要贸易伙伴的保护主义贸易政策。黄仁勋还强调了英伟达不断变化的商业模式，指出公司不再认为自己只是芯片制造商，而是基础设施供应商。“我们不再制造芯片了；那是过去的好日子，”黄仁勋打趣道，“我们现在所做的就是构建人工智能基础设施。”

herim@heraldcorp.com

(以上内容均由Ai生成)