SK 海力士凭借 HBM4 早期出货量引领 AI 芯片竞赛

快速阅读: 据《韩国先驱报》最新报道，SK海力士在GTC 2025展示下一代HBM4样品及SOCAMM，计划扩大HBM3E量产并上半年生产16层芯片，下半年量产HBM4。公司已送样12层HBM4并与客户认证，目标强化AI内存市场领导地位。三星和美光亦加速布局HBM4。

SK海力士展示了HBM4（顶部）及SOCAMM的照片
全球第二大内存芯片制造商SK海力士周三表示，在美国芯片巨头英伟达主办的年度技术大会GTC 2025上，它展示了下一代高带宽内存芯片的样品。

在其展位“内存：驱动AI与未来”，该公司将在加州圣何塞展示至周五的AI数据中心HBM内存产品、设备内存储以及汽车业务的内存解决方案。
其主打产品之一是12层HBM3E，这是目前量产中最先进的HBM。

该公司还推出了下一代12层HBM4的原型（尚在研发中），以及小型封装压缩内存模块，这是一种基于低功耗DRAM优化用于AI服务器的内存模块。

SK海力士计划今年扩大12层HBM3E芯片的量产，并准备在今年上半年生产16层HBM3E芯片。该公司还计划在下半年开始大规模生产12层HBM4芯片，预计供应将根据客户需求适时调整。

包括CEO郭鲁正在内的SK海力士高管计划在GTC 2025期间会见全球AI行业的领导者，以加强合作。

“我们很自豪能在GTC 2025上展示我们的行业领先产品阵容，”AI基础设施负责人兼首席营销官金柱善说，“凭借在AI内存领域的差异化优势，我们正在迈向成为全栈AI内存供应商的未来。”

与此同时，这家内存芯片厂商周三表示，已向主要客户发送了全球首款12层HBM4样品。

“我们提前发送了12层HBM4样品，并已启动与客户的认证程序。我们还将在今年下半年完成量产准备工作，巩固我们在下一代AI内存市场的领先地位，”一位SK海力士官员表示。

虽然公司未披露具体客户，但包括英伟达和博通在内的主要美国科技公司被认为在其列。

目前，SK海力士凭借其领先的HBM3E产品主导着HBM市场。HBM在图形处理单元市场中起着关键作用，该市场主要由英伟达主导。

其本土竞争者三星电子计划在今年下半年开始HBM4的大规模生产，而总部位于美国的美光科技则设定了两年内实现HBM4量产的目标。

特别是，美光正加速提升其HBM4能力，通过深化与全球领先代工厂商台积电的合作来实现这一目标。这其中包括任命前台积电董事长刘德音为董事会成员。

yeeun@heraldcorp.com

(以上内容均由Ai生成)