贸泽在美光新电子书中探索面向 AI 边缘应用的创新内存解决方案和设计

快速阅读: 据《Automation.com》最新报道，2025年3月5日——穆瑟伯电子公司与美光合作发布了新电子书，探讨了内存对人工智能边缘应用的重要性及关键考虑因素。美光的低功耗DDR5和DDR4内存、e.MMC技术和串行NOR闪存，旨在提升边缘计算效率和人工智能体验。该书还介绍了穆瑟伯和美光如何利用高性能内存解决方案引领行业趋势。

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2025年3月5日——穆瑟伯电子公司与美光合作发布了新电子书，探讨了内存对人工智能边缘应用的重要性及关键考虑因素。美光的低功耗DDR5和DDR4内存、e.MMC技术和串行NOR闪存，旨在提升边缘计算效率和人工智能体验。该书还介绍了穆瑟伯和美光如何利用高性能内存解决方案引领行业趋势。

2025年3月5日 – 穆瑟伯电子股份有限公司，作为授权的全球分销商，提供最新的电子元件和工业自动化产品，与美光合作宣布发布一本新的电子书。该电子书探讨了内存对人工智能边缘应用的重要性以及有效部署边缘人工智能设计的关键考虑因素。美光是创新内存和存储解决方案的行业领导者，这些解决方案使人工智能、机器学习和自动驾驶汽车在边缘计算、数据中心、网络和移动等关键市场领域成为可能。在《应对嵌入式边缘人工智能到终端产品的隐性挑战的五位专家的观点》中，人工智能行业的领先专家探讨了在边缘处理数据的问题，即在数据系统能够实时进行数据处理和决策的地方，避免了与云连接相关的延迟和安全问题。边缘人工智能应用非常依赖内存，并且需要高性能、低延迟的内存解决方案才能处理人工智能推理过程中涉及的大量数据。这些需求正在推动内存技术的发展，如高带宽和低功耗内存，在从商品到人工智能设备和应用的关键差异化方面处于前沿地位。这本电子书探讨了内存对边缘人工智能应用的重要性，部署边缘人工智能的设计考虑因素，以及穆瑟伯和美光如何通过业界最高性能和最高密度的内存解决方案引领潮流：美光的低功耗DDR5动态随机存取内存（DRAM）设计以满足最新的人工智能推理架构的需求，相比低功耗DDR4提供了50%的数据访问速度提升，而领先的1-beta低功耗DDR5X提供了更高的性能，最高可达9.6Gbps。所有这些都是为了提高边缘计算的效率和人工智能体验。美光的低功耗DDR4 DRAM内存针对电池驱动应用中的功耗问题进行了优化，相比DDR4内存为电池驱动应用和超便携设备提供了33%更快的峰值带宽。美光的嵌入式多媒体控制器（e.MMC）管理型NAND技术结合了高容量的应用间互操作性，提供了双电压支持和卓越的耐久性，非常适合消费类、网络、工业和汽车应用。美光的串行NOR闪存符合多种消费电子、工业、无线通信和计算应用的需求，具有行业标准的封装、引脚布局、命令集和芯片组兼容性，便于设计。

(以上内容均由Ai生成)