英特尔以市场状况为由，将俄亥俄州芯片工厂的开放时间推迟到 2030 年

快速阅读: 据《技术点》最新报道，英特尔宣布俄亥俄州纽伯林半导体制造工厂的建设时间表再次延期，第一阶段预计2030年完工，第二阶段推迟至2031年。该园区总投资或达1000亿美元，自2022年开工以来已取得显著进展，包括地下基础完成和大量混凝土浇筑。尽管多次延误，英特尔仍强调对项目的承诺并继续招聘和培训员工。

刚才发生了什么？英特尔宣布对其俄亥俄州纽伯林的一家半导体制造工厂的建设时间表进行了重大调整。这一延期是该设施原定2025年完工目标后的第三次重大延迟。英特尔强调其对该项目的承诺及其在市场需求需要时加速建设的能力。该设施的第一阶段，被称为模块一，预计将在2030年完成，芯片生产将在2030年至2031年间开始。公司修订的时间表也影响了项目的第二阶段，模块二，将其推迟到2031年完成，运营将于2032年开始。俄亥俄州的一个园区，曾被称作“硅谷腹地”，是一项雄心勃勃的计划。它将占地约1000英亩，并包括多达八个半导体制造工厂。该地点还将容纳支持运营和行业伙伴。初步投资估计约为200亿美元，而总开发成本可能高达1000亿美元。尽管频繁延误，自2022年开工以来，该地点已经取得了显著的建设进展。关键里程碑包括地下基础的完成、地上建设的开始、空气分离装置和地下管道的安装、浇筑超过20万立方米的混凝土以及投入超过640万小时的劳动。

修订的时间表表明，俄亥俄州的设施将采用在英特尔14A和14A-E节点之后开发的工艺技术，目前计划于2026-2027年推出。这些先进的制造工艺很可能依赖阿斯麦的高数值孔径极紫外光刻工具，每台设备的成本约为3.5亿美元。英特尔已经开始为俄亥俄州设施招聘和培训员工。员工正在亚利桑那州、新墨西哥州和俄勒冈州的现有英特尔站点接受培训，为当地设施的最终开放做准备。

尽管频繁延误，自2022年开工以来，该地点已经取得了显著的建设进展。关键里程碑包括地下基础的完成、地上建设的开始、空气分离装置和地下管道的安装、浇筑超过20万立方米的混凝土以及投入超过640万小时的劳动。

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