三星推出第 10 代 V-NAND：400+ 层、5.6 GT/s 和混合键合
发布时间：2025年2月27日 来源：szf
快速阅读: 据《Tom 的硬件》称，三星在2025年国际固态电路会议上推出了第十代V-NAND闪存，拥有超过400层和5.6 GT/s的接口速度。这款新型内存采用三星的CoP架构和混合键合技术，将显著提升顶级SSD的性能。
三星在2025年的国际固态电路会议推出了其第十代V-NAND闪存，拥有超过400个活动层和5.6 GT/s的接口速度。这种新型内存不仅以创纪录的活动层数量和突破性的性能著称，这将使一些顶级SSD受益匪浅，还采用了三星的周边单元（CoP）架构，并首次使用了混合键合技术。
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