三星将利用中国竞争对手长江医疗的专利开发新型存储芯片

快速阅读: 据《山姆移动》称，三星，全球最大的内存芯片制造商，计划从中国长江存储科技租赁专利，以制造下一代V10 NAND闪存芯片。长江存储科技拥有先进的混合键合技术，能显著提升芯片性能和可靠性。该技术减少了焊球，缩短了电路径并改善了散热。三星的最大竞争对手SK海力士也预计将与长江存储科技签署类似协议。

三星，全球最大的内存芯片制造商，似乎在NAND闪存芯片市场失去了技术优势。据报道，该公司将从中国竞争对手长江存储科技（YMTC）租赁专利，以制造下一代V10 NAND闪存芯片。据ZDNet韩国报道，三星决定为下一代存储芯片租赁来自中国公司长江存储科技的混合键合专利。长江存储科技是首家使用混合键合技术的公司，这是一种在制造V10 NAND闪存芯片中至关重要的先进芯片封装技术。三星之前和当前一代的NAND闪存芯片一直采用周边单元布局（COP）技术堆叠单元。然而，随着每一代产品的推出，更多的单元被堆叠在晶圆上，导致底层电路承受的压力增加，从而降低了芯片的可靠性。相比之下，长江存储科技的混合键合技术省去了传统芯片所需的焊球，从而缩短了电路径并改善了散热效果，显著提升了整体性能。长江存储科技使用了一种名为W2W的混合键合技术，直接将晶圆与晶圆键合，而非单元键合。长江存储科技四年前开始采用这种技术，并从美国Xperi公司获得了更多相关专利。据报道，三星认为与其在必要用于制造V10、V11和V12 NAND闪存芯片的混合键合专利上与长江存储科技争斗，不如租赁其专利并推动技术发展。尚不确定三星是否也与Xperi进行了谈判。三星的最大竞争对手SK海力士也预计会与长江存储科技就相同的混合键合技术签署专利租赁协议，用于400层NAND闪存。

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