英特尔表示 18A 工艺已准备就绪，确认将于 2025 年上半年流片

发布时间：2025年2月22日来源：szf

快速阅读: 据《技术点》称，随着英特尔即将推出的18Å节点临近，其成败将决定公司未来。该节点预计于2025年推出，将提升芯片密度和每瓦性能，并具备背面供电等创新技术。若成功，这将为英特尔代工业务带来重要胜利。然而，英特尔正面临财务亏损和拆分猜测，其代工业务亟需复苏。

为什么这很重要：随着英特尔的芯片设计和制造业务面临可能危及公司未来的巨大压力，其即将推出的18Å节点的成功与否至关重要。英特尔正在最终确定最新的半导体工艺，2025年将是其努力使代工部门合法化并重新获得与台积电和三星竞争力的关键一年。英特尔宣布其18Å工艺节点已“准备就绪”，第三方客户的定稿设计预计将在今年上半年开始。该节点有望在台积电的N2工艺（将于2026年推出）之前引入先进的半导体特性。18Å代表18埃（或1.8纳米），承诺比英特尔3代提升30%的芯片密度和15%的每瓦性能。该公司计划将其用于即将推出的灵跃湖笔记本处理器和清泉森林服务器CPU，两者都预计在今年年底前发布。18Å最重要的创新之一是通过PowerVia实现背面供电。通过将粗间距金属和焊点移至晶圆背面，并采用纳米级硅穿孔技术，英特尔旨在提高电源性能4%，并增加标准单元利用率5%至10%。另一个关键进步是RibbonFET，这是英特尔对环绕栅极晶体管技术的实施。这种设计能够更精细地控制电流，减少漏电——随着芯片变得越来越小且密集，这是一个日益重要的挑战。台积电也正在为其2纳米N2节点准备环绕栅极结构方案，但预计要到2025年底才会开始批量生产。首批采用N2工艺的消费产品可能要到至少2026年上半年才会出现，而台积电计划在同年使用其A16节点实现背面供电。最近的一项报告比较了18Å和N2，表明英特尔的节点可能提供更高的性能，而台积电的节点则具有更高的集成度。经过多年的落后，英特尔有机会提供在某些任务中可能超越台积电的半导体，并更快进入市场。如果18Å成功，它将为英特尔的代工业务带来急需的胜利，尽管该公司正经历深重的财务亏损，这些亏损引发了关于可能拆分或出售的猜测。