Applied Materials 使用 eBeam 系统加快芯片缺陷审查

快速阅读: 《新型电子产品》消息，SEMVision H20系统结合了先进的AI图像识别和高分辨率电子束技术，能更准确、快速地分析先进芯片中的纳米级缺陷。该系统在室温下运行，分辨率提升50%，速度提高10倍。应用材料的新技术使芯片制造商在复杂架构和新兴技术节点中，更快、更准确地识别和分类缺陷，从而提高生产效率和良率。

SEMVision H20系统是公司的，它结合了敏感的电子束（eBeam）技术和先进的AI图像识别技术，能够更准确且更快地分析先进芯片中的埋藏纳米级缺陷。其超高分辨率可以分析出数十亿个纳米级电路图案中的最小瑕疵。长期以来，eBeam成像一直是检查光学技术无法看到的小缺陷的重要工具。在室温下运行，CFE产生更窄的光束并含有更多的电子，从而将纳米级图像分辨率提高多达50%，并将成像速度提高10倍，相比传统的热场发射（TFE）技术具有显著优势。传统上，使用光学技术扫描晶圆以寻找潜在缺陷，然后使用eBeam来更好地表征这些缺陷。在进入“埃时代”——其中最小的芯片特征可能只有几个原子厚——区分真实缺陷与误报变得越来越困难。在最先进的节点上，光学检测会生成更密集的缺陷图，这可能需要将缺陷候选者数量增加100倍传递给eBeam审查——因此，工艺控制工程师需要能够分析更多样本的缺陷审查系统，同时保持高产量生产所需的高速度和灵敏度。

“我们的新SEMVision H20系统让全球领先的芯片制造商能够在由检测工具提供的大量数据中更好地分离信号与噪声，”应用材料公司成像和工艺控制集团副总裁基思·威尔斯表示。“通过将先进的AI算法与我们eBeam技术的速度和分辨率相结合，我们的系统能够快速识别埋藏在三维设备结构深处的最小缺陷，提供更快、更准确的检测结果，从而缩短工厂的周期时间并提高产量。”

应用材料的新eBeam技术对于制造逻辑芯片所需的复杂三维架构转折点至关重要，包括2纳米节点及以上的新型全环绕栅极（GAA）晶体管，以及更高密度的DRAM和3D NAND存储器的形成。SEMVision H20缺陷审查系统已被领先的逻辑和内存芯片制造商用于新兴技术节点。新的SEMVision H20系统利用两项重大创新，实现缺陷分类的惊人准确性，同时比当今最先进的技术快3倍。借助SEMVision H20，应用材料推出了其CFE技术的第二代产品，在保持行业最高灵敏度和分辨率的同时，实现了更快的吞吐量。这种更快的成像速度提供了每个晶圆上的更大覆盖范围，使芯片制造商能在三分之一的时间内获取相同信息。SEMVision H20使用深度学习AI功能自动从虚假‘干扰’缺陷中提取真实缺陷。应用材料的专有深度学习网络持续使用来自芯片制造商工厂的数据进行训练，并将缺陷分类为包括空隙、残留物、划痕、颗粒等几十种缺陷类型，从而实现更准确高效的缺陷表征。

新的SEMVision H20提供了更快、更准确的缺陷分析，使芯片制造商能够加速芯片开发并在大规模生产中更广泛地使用eBeam技术。

(以上内容均由Ai生成)