三星顶级高管亲自访问英伟达，并展示改进的 AI 内存芯片

快速阅读: 《山姆移动》消息，三星副董事长延惠俊近日亲自赴美，前往英伟达总部展示三星改进后的1b DRAM样品，该芯片用于高带宽内存模块。尽管三星设备解决方案部门一直在争取英伟达订单，但目前英伟达主要从SK海力士采购此类模块。英伟达要求三星改进1b DRAM设计，但由于产量和过热问题，三星尚未获得认证。赢得英伟达订单对三星意义重大，因为英伟达是全球领先的AI加速器供应商。

三星半导体部门负责人亲自送样品给客户并不常见，但据报道，三星副董事长延惠俊上周亲自前往加州圣克拉拉的英伟达总部，向他们展示了三星改进版的1b DRAM样品。该芯片用于三星正在努力向英伟达销售的高带宽内存模块。然而，三星的HBM认证仍未获得通过，而英伟达仍在从SK海力士采购这些模块的大头，用于其人工智能芯片。三星一直努力争取英伟达的订单。延惠俊领导着三星的设备解决方案部门。韩国媒体称，他携带最新研发的1b DRAM样品前往英伟达总部展示。英伟达此前曾要求三星改进其1b DRAM的设计。该公司原计划开始用1b DRAM制造HBM，但由于产量和过热问题未能实现。据信，这可能是尽管有积极反馈，英伟达仍未批准三星HBM3E芯片的主要原因。英伟达目前是全球领先的AI加速器供应商，从世界顶级科技公司获得了价值数百亿美元的订单。因此，它需要大量的高带宽内存模块，赢得这笔订单对三星来说将极其有利。三星之前在其HBM3E模块中使用的是1a DRAM，并计划跳过1b DRAM，直接采用1c DRAM生产HBM4模块。据说英伟达要求三星在产品中加入1b DRAM。人们对此持谨慎乐观态度，认为三星有望最终赢得这家公司的订单。

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