Q.ANT 和 IMS CHIPS 开始生产高性能 AI 芯片

快速阅读: 《硅半导体》消息，2025年2月26日，Q.ANT与IMS芯片公司在斯图加特启动了高性能AI芯片生产线。通过集成Q.ANT的光子芯片技术，该生产线使用薄膜铌酸锂材料，大幅提升了能源效率和计算速度。Q.ANT投资1400万欧元，每年可生产多达1000片晶圆，旨在推动AI和高性能计算的发展。这一创新举措将使各国减少对全球供应链的依赖，并加速关键技术的创新。

Q.ANT与IMS芯片公司启动高性能AI芯片生产

2025年2月26日，创新制造方法升级现有的互补金属氧化物半导体（CMOS）设施，加速能源高效光子AI芯片的开发，并促进半导体制造的普及，实现供应链韧性与技术独立。Q.ANT作为AI光子处理的先锋，在斯图加特微电子研究所（IMS芯片公司）推出了其高性能光子AI芯片专用生产线，标志着半导体制造的重要里程碑。

通过在IMS芯片公司的现有CMOS生产设施基础上集成Q.ANT的专利光子芯片技术——基于薄膜铌酸锂材料，合作伙伴建立了同类首个制造线，以加速生产能源高效的高性能处理器用于AI应用。Q.ANT投资了1400万欧元用于购买设备，以补充新的光子芯片生产线。这一创新制造方法提供了更快、更节能的处理器，以满足AI和高性能计算（HPC）日益增长的计算需求，同时为全球芯片生产现代化提供了一种成本效益高的方法。这项开创性举措为实现生产容量的普及奠定了基础。它使各国能够获得更大的半导体制造韧性，减少对全球供应链的依赖，并加速关键技术创新的发展，推动数据中心、科研机构及先进产业的发展。

出席的行业领袖和德国官员参加了正式的启动仪式，强调了该项目在推动欧洲和全球半导体生态系统内创新方面的意义。通过现代化现有的芯片生产能力，Q.ANT和IMS芯片公司开创了一种可扩展的方法，将节能的AI处理器更快、更具成本效益和可持续地推向市场。Q.ANT的光子芯片——使用光而非电进行计算——实现了能源效率提高30倍，计算速度提升50倍，为AI驱动的数据中心和HPC环境提供了变革潜力。

试点生产线特别设计用于使用薄膜铌酸锂（TFLN）进行生产，这是光子计算的最佳材料，也是该技术成功的关键。TFLN能够在几吉赫兹下无需加热即可操控光学信号，这使得光的控制更加精确和节能，从而显著提高了计算能力和能源效率，相比传统硅材料有了大幅提升。Q.ANT首席执行官迈克尔·福尔茨博士表示：“这种方法为AI芯片制造设定了新标准，提供了一条通往更大自给自足和更节能芯片解决方案的道路。”

IMS芯片公司董事兼首席执行官延斯·安德烈教授解释道：“IMS芯片公司的这条试点生产线展示了如何在现有基础设施上蓬勃发展，为节能的下一代计算设定了蓝图。”他还表示，“对于计算行业来说，这是一个关键时刻，因为AI和数据密集型应用的指数级增长很快就会压倒当前的数据中心基础设施。通过与Q.ANT合作，我们正利用我们在半导体制造方面的专业知识，加速光子处理器的工业化，并建立一个节能计算的可扩展模型——这对AI的未来至关重要。”

该试点生产线每年可生产多达1000片晶圆，使Q.ANT能够优化其芯片架构以满足不断变化的市场需求。它还作为Q.ANT光子原生处理单元和原生处理服务器（NPS）解决方案的研发基础，这些解决方案旨在为高性能计算数据中心提供动力。

福尔茨博士总结道：“我们不是要取代GPU——我们正在重塑下一代计算系统的生态，正如GPU补充了CPU的功能一样，光子学将推动AI的可持续飞跃。”

通过PCIe集成，Q.ANT的原生处理服务器可以无缝融入现有的高性能计算服务器，加速各行业的采用。Q.ANT的光子方法能够实现以下关键工作负载：

– AI模型训练和推理
– 科学和工程模拟
– 复杂数学方程的实时处理
– 机器学习的高密度张量操作

通过这条试点生产线，Q.ANT加快了产品上市时间，并为光子处理器成为高性能计算中的标准协处理器奠定了基础。这一里程碑标志着向未来的可持续AI芯片技术迈进了一大步，这种技术由德国设计并生产，面向快速发展的全球市场。到2030年，Q.ANT希望使其光子处理器成为AI基础设施中可扩展、节能的核心基石。

(以上内容均由Ai生成)