三星确认 Galaxy S25 不使用内部 RAM、存储芯片

快速阅读: 据《山姆移动》称，在Galaxy S25系列中，三星首次未使用自家内存芯片，转而采用美光的LPDDR5X DRAM和UFS 4.0存储芯片。美光证实了这一消息，并表示其芯片采用了先进的1β工艺技术，可降低电压以延长电池寿命。美光移动业务部门负责人称，美光的技术将助力三星手机成为具备情境感知和个性化体验的AI伴侣。这一变化对三星的内存芯片业务构成挑战。

在Galaxy S25系列推出之前，有传言称三星可能不会在其新款高端手机中使用自家的DRAM和存储芯片。现在，这一信息已被证实。Galaxy S25系列采用美光的DRAM和UFS 4.0存储芯片。美国内存芯片制造商美光已证实，Galaxy S25、Galaxy S25+和Galaxy S25 Ultra均采用其LPDDR5X DRAM和UFS 4.0存储芯片。该公司在X平台发布了这一信息，并得到了三星手机部门的确认。美光是三星在半导体内存芯片领域的主要竞争对手之一。该公司表示，其LPDDR5X DRAM芯片采用先进的1β（1-贝塔）工艺技术制造，并进行了设计优化，使其能够在比竞品更低的电压水平下运行。这使得使用这些芯片的设备能够拥有更长的电池续航时间。这可能是三星首次从外部品牌购买内存芯片用于其旗舰智能手机。所有之前的Galaxy S系列和Galaxy Z系列手机均使用三星半导体的DRAM和存储芯片，因此这对三星的内存芯片业务构成了重大挑战。

观看下方视频中的Galaxy S25 Ultra评测，或在此处详读。美光移动业务部门副总裁兼总经理马克·蒙蒂尔思说：“三星正在为AI手机设定新的标准，凭借美光领先的内存和存储技术支持，使它们成为具有情境感知和个人化移动体验的真正AI伴侣。”

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