突破性的 3D NAND 闪存蚀刻技术可以加速 SSD 生产

快速阅读: 据《技术点》最新报道，研究人员开发出一种氢氟酸等离子体技术，将三维闪存芯片制造过程中的蚀刻速率提高了一倍。该技术使用低温氢氟酸等离子体进行蚀刻，有望提高手机、相机和计算机的数据存储密度。尽管面临一些挑战，这一新技术可能克服重要制造障碍，有助于提升内存密度。研究成果已发表在《真空科学与技术杂志》上。

前沿冷冻技术：一种新的基于等离子体的蚀刻工艺可能使手机、相机和计算机中的数据存储更加密集。研究人员研发了一种氢氟酸等离子体技术，将三维NAND闪存芯片制造过程中的蚀刻速率提高了一倍。标准的NAND闪存存储用于MicroSD卡、USB驱动器以及计算机和手机中的固态硬盘。为了在更小的空间内装入更多的吉比特，制造商已经开始采用一种称为三维NAND的垂直堆叠内存单元的过程。

一种新的基于等离子体的蚀刻工艺可能使手机、相机和计算机中的数据存储更加密集。研究人员研发了一种氢氟酸等离子体技术，将三维NAND闪存芯片制造过程中的蚀刻速率提高了一倍。三维NAND技术的进步已将芯片设计推向了超过200层，像美光、SK海力士和三星这样的公司正瞄准400层技术以增加存储密度。然而，更高的层数也带来了更大的制造复杂性。其中一个特别要求高的过程是蚀刻，这需要一层层地精确雕刻穿过交替的二氧化硅和氮化硅层的孔洞。

一种新的基于等离子体的蚀刻工艺可能使手机、相机和计算机中的数据存储更加密集。研究人员研发了一种氢氟酸等离子体技术，将三维NAND闪存芯片制造过程中的蚀刻速率提高了一倍。来自Lam Research、科罗拉多大学波尔德分校和普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的研究人员研发了一种新的技术来简化这个过程。它使用低温氢氟酸等离子体进行蚀刻。在实验中，蚀刻速率翻了一番，从旧方法的每分钟310纳米增加到他们的方法的每分钟640纳米。他们还发现蚀刻的孔洞更加干净。

鉴于这些优势，研究人员探索在氢氟酸等离子体配方中添加一些其他成分。三氟化磷作为二氧化硅蚀刻的助推剂，使其速率提高了四倍。他们还测试了氟硅酸铵。完整的研究结果发表在《真空科学与技术杂志》上。芝奇推出了专为英特尔PC设计的新高容量低延迟内存套装。铠侠即将展示创新的DRAM、SCM及三维NAND技术。

虽然仍有一些挑战存在，但这项新技术可能会克服一个重要制造障碍。普林斯顿等离子体物理实验室的主要研究物理学家伊戈尔·卡甘诺维奇指出，随着人工智能的采用导致数据需求增长，增加内存密度将是至关重要的。目前还无法断言这是否会使消费者获得更便宜或更密集的NAND芯片。该技术仍需验证其商业可行性和规模化生产潜力。也无法确保成本节约能惠及消费者。

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