海力士等三巨头齐聚 HBF 新赛道，“HBM 之父”预测英伟达将收购内存厂商
快速阅读: “HBM 之父”金正浩预测，AI 时代权力重心将从 GPU 转向内存，高带宽闪存（HBF）将成为继 HBM 后的新竞争焦点，预计 2026 年初取得进展，2027 至 2028 年正式推出。
11 月 12 日消息，据 IT之家报道，集邦咨询 Trendforce 昨日（11 月 11 日）发布文章称，“HBM 之父”金正浩预测，在 AI 时代，权力重心正从 GPU 转向内存，高带宽闪存（HBF）将成为继 HBM 之后的新竞争焦点。
金正浩是韩国科学技术院（KAIST）电气工程学系教授，因其在高带宽内存（High Bandwidth Memory, HBM）相关领域的开创性贡献而广受认可，特别是在硅通孔（TSV）、中介层（interposer）、信号线设计（SI）和电源线设计（PI）等方面的研究。
在参加 YouTube 频道节目时，金正浩表示：“AI 时代，权力的天平正从 GPU 向内存倾斜。”他认为，内存将在人工智能时代发挥更加重要的作用，并预测英伟达可能会在未来收购一家内存公司。
金正浩还强调了高带宽闪存（HBF）的兴起，预计该技术将于 2026 年初取得重要进展，并在 2027 至 2028 年间正式推出。随着传统硬盘（HDD）行业向高成本的热辅助磁记录（HAMR）技术转型面临挑战，近线固态硬盘（Nearline SSD）凭借其成本效益成为受欢迎的替代方案。HBF 被视为解决 AI 集群存储容量瓶颈的关键技术。在 AI 推理时代，内存容量至关重要，键值缓存（KV Caching）等技术直接影响 AI 模型的响应速度。因此，金正浩相信 HBF 将与 HBM 并驾齐驱，成为下一代主流内存技术。
从技术角度看，HBF 与 HBM 类似，两者都利用硅通孔（TSV）技术垂直堆叠多层芯片。然而，HBF 基于 NAND 闪存构建，因此在容量和成本方面具有显著优势。虽然 NAND 闪存的速度低于 DRAM，但其容量可以超过 DRAM 十倍以上。通过堆叠成百上千层，HBF 能够满足 AI 模型的大规模存储需求，被誉为“HBM 的 NAND 版本”。
行业领先者已采取行动。SanDisk 与 SK 海力士于 2025 年 8 月签署谅解备忘录（MoU），共同制定 HBF 技术规范并推动标准化。双方计划在 2026 年下半年推出 HBF 内存样品，首批采用 HBF 的 AI 推理系统预计于 2027 年初面世。
值得注意的是，在 2025 年 10 月中旬举办的 OCP 全球峰会上，SK 海力士首次展示了其全新的“AIN Family”存储产品系列，其中包括采用 HBF 技术的 AIN B 系列。三星电子也已启动 HBF 产品的初步概念设计，旨在利用其在高性能存储领域的研发实力，满足数据中心对高带宽闪存不断增长的需求。不过，该项目目前仍处于初期阶段，具体规格和量产时间尚未确定。
展望未来，金正浩将 AI 的多级内存体系比喻为智能图书馆：GPU 内的 SRAM 像桌面笔记，速度快但容量小；HBM 如同旁边的书架，用于快速存取和计算；而 HBF 则像地下书库，负责存储大量 AI 数据并持续为 HBM 提供支持。他预测，未来 GPU 将同时集成 HBM 和 HBF，形成互补配置，开启计算与存储融合的新时代。
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