SK海力士与英伟达达成HBM4供应协议，价格大涨50%
快速阅读: SK 海力士与英伟达达成 HBM4 供应协议，价格上调超 50% 至 560 美元，巩固 HBM 市场领先地位，预计明年 HBM 销售额达 40-42 万亿韩元，营业利润约 25 万亿韩元。
11 月 5 日消息，据 BusinessKorea 报道，SK 海力士将向全球最大的人工智能（AI）半导体公司英伟达供应的第六代高带宽存储器（HBM4）价格较上一代产品（HBM3E）上调超过 50%，进一步巩固了其在全球 HBM 市场的领先地位。双方已就明年 HBM4 的供应达成协议，为 SK 海力士实现创纪录业绩铺平道路。
据报道，SK 海力士今年 3 月向英伟达交付了全球首款 12 层堆叠的 HBM4 样品，并获得积极评价，随后于 6 月开始小批量供货。与此同时，双方就明年下半年即将发布的英伟达下一代 AI 芯片“Rubin”所需 HBM4 的供应价格展开谈判。
HBM4 的数据传输通道（I/O）数量达到 2,048 个，是 HBM3E（1,024 个）的两倍。此外，HBM4 在连接图形处理器（GPU）与 HBM 的基底芯片（base die）中集成了计算效率优化和能效管理等“逻辑制程”功能。因此，SK 海力士自 HBM4 起将基底芯片的生产外包给台积电（TSMC），而此前这一环节由公司内部完成。
考虑到技术升级带来的成本增加，SK 海力士向英伟达提出 HBM4 单价定为 550 美元左右，较 HBM3E 上涨超过 50%。英伟达考虑到三星电子和美光（Micron）也将大规模供应 HBM4，对如此大幅涨价持保留态度，导致双方一度产生分歧。
最终，双方达成协议，HBM4 的供应价格确定为每颗约 560 美元（现汇率约合 3989 元人民币），英伟达基本采纳了 SK 海力士的报价，使其在 HBM4 市场继续保持主导地位。SK 海力士一位高管表示：“最终供应价格及谈判细节无法确认”，但补充道：“考虑到制程进步与原材料成本上升，HBM4 具备显著涨价的合理因素。”
在完成价格谈判后，SK 海力士近期面向机构投资者召开了投资者关系（IR）会议，预计明年仍将维持高营业利润率。据金融投资行业透露，SK 海力士表示：“符合英伟达规格的产品价格与供应量均已确定，‘当前盈利能力’得以延续。” 这意味着即便三星电子和美光进入 HBM4 市场，也不会对公司的营业利润和整体业绩造成不利影响。
业内估计，SK 海力士 HBM4 产品的营业利润率约为 60%。市场预计 SK 海力士明年 HBM 销售额将达到约 40-42 万亿韩元（现汇率约合 2084.04 亿元人民币）。若维持与今年相当的利润率，仅 HBM 业务一项就将贡献约 25 万亿韩元（现汇率约合 1240.5 亿元人民币）的营业利润。随着 SK 海力士在明年下半年从当前主力产品 HBM3E 全面转向 HBM4，其 HBM 整体业绩有望较今年（销售额约 30 万亿韩元，营业利润约 17 万亿韩元）提升 40%-50%。
更有预测指出，凭借 HBM4 已锁定的高盈利能力，SK 海力士明年的整体营业利润有望突破 70 万亿韩元。这不仅得益于 HBM 业务，也受益于图形双倍数据速率（GDDR）和低功耗（LP）DDR 等通用 DRAM 产品价格的飙升——在全球 AI 基础设施投资热潮推动下，通用 DRAM 价格持续走高。据 DRAMeXchange 数据，9 月份 DDR4 固定交易价格六年来首次突破 7 美元，主要原因是近年来各大存储芯片厂商将产能优先转向 HBM 产线，导致通用 DRAM 供应持续紧张。
随着 DRAM 价格持续上涨，分析认为 SK 海力士明年通用 DRAM 业务的营业利润率也可能接近 50%-60%。一位业内人士指出：“随着推理 AI 市场快速扩张，短期内存储芯片供应难以满足激增的需求”，并补充道：“SK 海力士甚至尚未投产就已售罄明年的产能，因此高利润率将得以持续。”
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