特斯拉也在抢购HBM 4

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据报道，特斯拉已要求三星和SK海力士提供HBM4芯片样品。这两家半导体公司都在为特斯拉开发第六代高带宽内存芯片原型。
据KEDGlobal报道，特斯拉已要求三星和SK海力士供应通用的HBM4芯片。预计在测试两家公司的样品后，特斯拉将选择其中一家作为HBM4供应商。
通过使用三星和SK海力士生产的定制HBM4芯片，特斯拉除了减少对Nvidia的AI芯片依赖外，还寻求增强其人工智能(AI)能力。
三星正努力争取特斯拉的HMB4芯片订单。该公司甚至与台湾的台积电合作，以促进其HBM芯片的开发并保持对SK海力士的优势。
SKHynix也在加速发展，以保持其在HBM领域的领先地位。赢得特斯拉HMB订单的公司将在全球内存供应链中看到大幅推动。
值得注意的是，第6代HBM4芯片对于特斯拉的Dojo超级计算机至关重要，该超级计算机专为训练AI模型而设计，还将支持其AI数据中心和自动驾驶汽车。
HBM4半导体与前几代相比有显著的增强，可提供高达1.65Tbps的带宽，比HBM3E快1.4倍，同时功耗降低了30%。
Nvidia要求SK海力士将HBM4的交付时间提前
据路透社报道，SK集团董事长崔泰源表示，Nvidia已要求SK海力士将下一代HBM4内存芯片的交付时间提前六个月。
SK海力士最初计划在2025年下半年向客户交付HBM4芯片。应Nvidia首席执行官黄仁勋的要求，时间表缩短了，但并未指定具体的新时间表。Nvidia目前正在开发用于AI和HPC的下一代GPU，这些GPU将使用HBM4内存（代号可能为Rubin）。因此，该公司必须尽早获得下一代高带宽内存。
受人工智能行业需求增长的推动，SK海力士继续巩固其在HBM市场的领先地位。该公司为Nvidia的当前一代产品提供了8-Hi和12-HiHBM3E。展望未来，SK海力士计划明年推出12层HBM4，并计划在2026年推出16层版本，以满足预期的行业需求。
最初，SK海力士倾向于在其HBM4层中使用1bDRAM技术，但据报道，三星选择更先进的1c生产技术，促使SK海力士重新评估其方法。
即将推出的HBM4标准将引入24Gb和32Gb的内存层，以及4高、8高、12高和16高TSV堆栈的堆叠选项。初始HBM4模块的确切配置仍不确定，三星和SK海力士计划在2025年下半年开始批量生产12高HBM4堆栈。这些模块的速度等级会有所不同，具体取决于多种因素，但JEDEC的初步标准将速度设定为高达6.4GT/s。
为了制造其HBM4模块的基础芯片，SK海力士与台积电合作。在2024年欧洲技术研讨会上，台积电透露将使用其12FFC+（12nm级）和N5（5nm级）工艺技术生产这些基础芯片。N5工艺将实现更高的逻辑密度和更细的互连间距，从而允许将内存直接集成到CPU和GPU中。或者，12FFC+工艺将通过使用硅中介层将内存与主机处理器连接起来，提供更具成本效益的解决方案，在性能和可负担性之间取得平衡。
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